Références fabricant

MOSFET canal N onsemi 3 A 60 V Enrichissement, 4 broches, SOT-223 NTF3055L108 AEC-Q101

Code commande RS:: 463-307
Numéro d'article Distrelec:: 304-37-287
Référence fabricant:: NTF3055L108T1G
Marque:: onsemi

MOSFET canal N onsemi 3 A 60 V Enrichissement, 4 broches, SOT-223 NTF3055L108 AEC-Q101

Prix dégressifs sur quantité

Consulter les options de prix de gros

Sous-total (1 paquet de 20 unités)*

12,78 €

15,34 €

Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €

Pénurie d'approvisionnement

2 020 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution

Notre stock actuel est limité et nos fournisseurs s'attendent à des pénuries.

Unité	Prix par unité	le paquet*
20 - 180	0,639 €	12,78 €
200 - 480	0,55 €	11,00 €
500 +	0,477 €	9,54 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 463-307
Numéro d'article Distrelec:: 304-37-287
Référence fabricant:: NTF3055L108T1G
Marque:: onsemi

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Type de produit	MOSFET
	Type de canal	N
	Courant continu de Drain maximum Id	3A
	Tension Drain Source maximum Vds	60V
	Série	NTF3055L108
	Type de Boitier	SOT-223
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	4
	Résistance Drain Source maximum Rds	120mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Tension maximale de source de la grille Vgs	-15V, +15V
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	7.6nC
	Tension directe Vf	-1.2V
	Dissipation de puissance maximum Pd	2.1W
	Température d'utilisation maximum	175°C
	Largeur	3.5mm
	Normes/homologations	No
	Longueur	6.5mm
	Hauteur	1.57mm
	Standard automobile	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque onsemi
	Type de produit MOSFET
	Type de canal N
	Courant continu de Drain maximum Id 3A
	Tension Drain Source maximum Vds 60V
	Série NTF3055L108
	Type de Boitier SOT-223
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 4
	Résistance Drain Source maximum Rds 120mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Tension maximale de source de la grille Vgs -15V, +15V
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 7.6nC
	Tension directe Vf -1.2V
	Dissipation de puissance maximum Pd 2.1W
	Température d'utilisation maximum 175°C
	Largeur 3.5mm
	Normes/homologations No
	Longueur 6.5mm
	Hauteur 1.57mm
	Standard automobile AEC-Q101

Datasheet

Transistor MOSFET de puissance à canal N, 60 V, ON Semiconductor

Transistors MOSFET, ON Semiconductor

Nos clients ont également consulté

Soyez informé.e de nos dernières nouveautés et actualités

Votre adresse e-mail

En m'inscrivant à la newsletter, j'accepte la politique de protection des données de RS France. Je pourrai me désinscrire à tout moment.