Références fabricant

MOSFET canal N onsemi 3 A 60 V Enrichissement, 4 broches, SOT-223 AEC-Q101

Code commande RS:: 163-0802
Référence fabricant:: NVF3055L108T1G
Marque:: onsemi

MOSFET canal N onsemi 3 A 60 V Enrichissement, 4 broches, SOT-223 AEC-Q101

Sous-total (1 bobine de 1000 unités)*

407,00 €

488,00 €

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Unité	Prix par unité	la bobine*
1000 +	0,407 €	407,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 163-0802
Référence fabricant:: NVF3055L108T1G
Marque:: onsemi

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Type de produit	MOSFET
	Type de canal	N
	Courant continu de Drain maximum Id	3A
	Tension Drain Source maximum Vds	60V
	Type de Boitier	SOT-223
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	4
	Résistance Drain Source maximum Rds	120mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Dissipation de puissance maximum Pd	2.1W
	Tension maximale de source de la grille Vgs	-15, +15V
	Tension directe Vf	0.87V
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	7.6nC
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Température d'utilisation maximum	175°C
	Hauteur	1.65mm
	Largeur	3.7mm
	Normes/homologations	No
	Longueur	6.7mm
	Standard automobile	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque onsemi
	Type de produit MOSFET
	Type de canal N
	Courant continu de Drain maximum Id 3A
	Tension Drain Source maximum Vds 60V
	Type de Boitier SOT-223
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 4
	Résistance Drain Source maximum Rds 120mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Dissipation de puissance maximum Pd 2.1W
	Tension maximale de source de la grille Vgs -15, +15V
	Tension directe Vf 0.87V
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 7.6nC
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Température d'utilisation maximum 175°C
	Hauteur 1.65mm
	Largeur 3.7mm
	Normes/homologations No
	Longueur 6.7mm
	Standard automobile AEC-Q101

Datasheet

Pays d'origine :: MY

Transistor MOSFET de puissance à canal N, 60 V, ON Semiconductor

Transistors MOSFET, ON Semiconductor

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