MOSFET canal N onsemi 3 A 60 V Enrichissement, 4 broches, SOT-223 AEC-Q101
- Code commande RS:
- 805-8717
- Référence fabricant:
- NVF3055L108T1G
- Marque:
- onsemi
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- Code commande RS:
- 805-8717
- Référence fabricant:
- NVF3055L108T1G
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 3A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Type de Boitier | SOT-223 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 120mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 7.6nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 2.1W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | 0.87V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -15, +15V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Hauteur | 1.65mm | |
| Longueur | 6.7mm | |
| Largeur | 3.7mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 3A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Type de Boitier SOT-223 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 4 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 120mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 7.6nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 2.1W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf 0.87V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -15, +15V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Hauteur 1.65mm | ||
Longueur 6.7mm | ||
Largeur 3.7mm | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
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