MOSFET canal N Infineon 50 A 40 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 OptiMOS-T2 AEC-Q101

Sous-total (1 ruban de 25 unités)*

20,38 €

HT

24,45 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
En stock
  • 4 225 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le ruban*
25 +0,815 €20,38 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
Code commande RS:
110-7766
Référence fabricant:
IPD50N04S408ATMA1
Marque:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

50A

Tension Drain Source maximum Vds

40V

Série

OptiMOS-T2

Type de Boitier

TO-252

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

7.9mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20V, +20V

Dissipation de puissance maximum Pd

46W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

17.2nC

Tension directe Vf

1.2V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

175°C

Largeur

6.22mm

Hauteur

2.3mm

Longueur

6.5mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

AEC-Q101

Statut RoHS non applicable

Transistor MOSFET OptiMOS-T2 Infineon, tension de source de drain maximale de 40 V, courant de drain continu maximal de 50 A - IPD50N04S408ATMA1


Ce MOSFET est un transistor de puissance à canal N de 40 V conçu pour la commutation à courant élevé dans les applications à montage en surface. Il fonctionne sur une large plage de températures et est conçu pour répondre aux exigences de contrainte automobile, ce qui le rend adapté aux étages de puissance électroniques robustes où une conduction efficace et une résistance thermique sont nécessaires.

Caractéristiques et avantages :


• Rds(on) de 7,9 mΩ réduit les pertes de conduction pour un rendement plus élevé
• Le courant de drain continu de 50 A permet une commutation à courant élevé
• La charge de grille typique de 17,2 nC accélère les transitions de commutation
• La dissipation de puissance maximale de 46 W gère la charge thermique en fonctionnement
• La tolérance maximale de la grille de 20 V protège contre les surtensions de grille
• Le mode d'amélioration canal N fournit un contrôle direct par grille

Applications


• Convient aux étages de distribution d'alimentation automobile de 12 V
• Idéal pour les étages de sortie de convertisseur buck synchrone
• Utilisé avec les circuits à demi-pont à entraînement motorisé
• Peut être utilisé pour les modules de conversion c.c.-c.c. à courant élevé
• Convient à la gestion de l'alimentation dans les unités de commande industrielles

Quelle plage ambiante peut-il supporter pendant le fonctionnement?


Il fonctionne de -55 °C à 175 °C, s'adaptant aux démarrages à froid extrême et aux environnements à haute température.

Comment le boîtier affecte-t-il l'assemblage et le chemin thermique?


Le boîtier à montage en surface TO‐252 offre un encombrement compact et un chemin thermique direct vers le circuit imprimé pour la dissipation de la chaleur.

Quelles sont les considérations relatives à l'entraînement de grille qui sont nécessaires pour une commutation fiable?


Les tensions d'entraînement doivent rester à ±20 V de la valeur nominale de la source de grille et être suffisantes pour améliorer complètement le canal pour de faibles Rds(on).

Comment le dispositif se comporte-t-il sous une charge lourde continue?


Il prend en charge jusqu'à 50 A de courant de drain continu tout en dissipant jusqu'à 46 W, nécessitant une conception thermique de circuit imprimé adaptée pour maintenir les températures de jonction.

Nos clients ont également consulté

Soyez informé.e de nos dernières nouveautés et actualités

Votre adresse e-mail

En m'inscrivant à la newsletter, j'accepte la politique de protection des données de RS France. Je pourrai me désinscrire à tout moment.