Références fabricant

MOSFET canal N Nexperia 3 A 100 V Enrichissement, 4 broches, SC-73 PHT6NQ10T

Code commande RS:: 124-2386
Référence fabricant:: PHT6NQ10T,135
Marque:: Nexperia

MOSFET canal N Nexperia 3 A 100 V Enrichissement, 4 broches, SC-73 PHT6NQ10T

Sous-total (1 bobine de 4000 unités)*

1 788,00 €

2 144,00 €

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Unité	Prix par unité	la bobine*
4000 +	0,447 €	1 788,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 124-2386
Référence fabricant:: PHT6NQ10T,135
Marque:: Nexperia

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Nexperia
	Type de canal	N
	Type de produit	MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id	3A
	Tension Drain Source maximum Vds	100V
	Série	PHT6NQ10T
	Type de Boitier	SC-73
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	4
	Résistance Drain Source maximum Rds	90mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	21nC
	Température minimum de fonctionnemen	-65°C
	Tension directe Vf	1.1V
	Tension maximale de source de la grille Vgs	20V
	Dissipation de puissance maximum Pd	1.8W
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Largeur	3.7mm
	Normes/homologations	No
	Longueur	6.7mm
	Hauteur	1.7mm
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque Nexperia
	Type de canal N
	Type de produit MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id 3A
	Tension Drain Source maximum Vds 100V
	Série PHT6NQ10T
	Type de Boitier SC-73
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 4
	Résistance Drain Source maximum Rds 90mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 21nC
	Température minimum de fonctionnemen -65°C
	Tension directe Vf 1.1V
	Tension maximale de source de la grille Vgs 20V
	Dissipation de puissance maximum Pd 1.8W
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Largeur 3.7mm
	Normes/homologations No
	Longueur 6.7mm
	Hauteur 1.7mm
	Standard automobile Non

Datasheet

Pays d'origine :: CN

Transistor MOSFET canal N, 100 V et plus, Nexperia

Transistors MOSFET, NXP Semiconductors

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