MOSFET N Infineon 80 A 80 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 OptiMOS 3

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Code commande RS:
124-8754
Référence fabricant:
IPB054N08N3GATMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

Type N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

80A

Tension Drain Source maximum Vds

80V

Type de Boitier

TO-263

Série

OptiMOS 3

Type de montage

Surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

9.9mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

52nC

Tension directe Vf

1V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

150W

Température d'utilisation maximum

175°C

Longueur

10.31mm

Normes/homologations

No

Hauteur

4.57mm

Standard automobile

Non

Statut RoHS non applicable

Transistors MOSFET de puissance OptiMOS™3 d'Infineon, 60 à 80 V


Les produits OptiMOS™ sont disponibles dans des boîtiers haute performance pour gérer les applications les plus difficiles ce qui donne une flexibilité totale dans les espaces réduits. Ces produits d'Infineon sont conçus pour répondre aux exigences de rendement énergétique et de densité de puissance des normes de régulation de tension des applications informatiques plus pointues de la prochaine génération et pour les dépasser.

MOSFET à commutation rapide pour SMPS

Technologie optimisée pour convertisseurs c.c./c.c.

Homologué selon la norme JEDEC1 pour les applications ciblées

Canal N, niveau logique

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Très faible résistance R DS(on)

Placage compatible sans plomb

Transistors MOSFET, Infineon


Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.

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