MOSFET canal Type N Infineon 110 A 55 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 HEXFET Non

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Code commande RS:
124-9000
Référence fabricant:
IRF3205ZPBF
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type N

Courant continu de Drain maximum Id

110A

Tension Drain Source maximum Vds

55V

Type de Boitier

TO-220

Série

HEXFET

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

7mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

76nC

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

170W

Tension maximale de source de la grille Vgs

20 V

Tension directe Vf

1.3V

Température d'utilisation maximum

175°C

Hauteur

8.77mm

Normes/homologations

No

Largeur

4.69 mm

Longueur

10.54mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
MX

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