MOSFET canal N Infineon 300 mA 60 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 OptiMOS
- Code commande RS:
- 124-9035
- Référence fabricant:
- 2N7002H6327XTSA2
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 0,063 € | 189,00 € |
| 6000 - 12000 | 0,053 € | 159,00 € |
| 15000 + | 0,05 € | 150,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 124-9035
- Référence fabricant:
- 2N7002H6327XTSA2
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 300mA | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Type de Boitier | SOT-23 | |
| Série | OptiMOS | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 4Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -20, +20V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 0.4nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 500mW | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 2.9mm | |
| Hauteur | 1mm | |
| Largeur | 1.3mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 300mA | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Type de Boitier SOT-23 | ||
Série OptiMOS | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 4Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -20, +20V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 0.4nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 500mW | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 2.9mm | ||
Hauteur 1mm | ||
Largeur 1.3mm | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET Infineon série OptiMOS, tension de source de drain maximale de 60 V, résistance de source de drain maximale de 4 Ω - 2N7002H6327XTSA2
Ce MOSFET d'amélioration à canal N à faible signal est conçu pour la commutation à grande vitesse dans les applications à montage en surface. Il fonctionne sur une large plage ambiante et fournit un élément de commutation compact pour les circuits à faible courant où une conduction contrôlée et une réponse de grille rapide sont nécessaires.
Caractéristiques et avantages :
• La valeur nominale drain-source de 60 V permet une commutation à tension plus élevée
• La valeur Rds(on) maximale de 4 Ω réduit les pertes de conduction à faible courant
• Le courant de drain continu de 300 mA prend en charge les charges de faible signal
• La charge de grille typique de 0,4 nC permet des transitions de commutation rapides
• La tolérance grille-source de 20 V permet des tensions d'entraînement flexibles
• La dissipation de puissance de 500 mW permet de gérer la charge thermique dans des configurations compactes
• La valeur Rds(on) maximale de 4 Ω réduit les pertes de conduction à faible courant
• Le courant de drain continu de 300 mA prend en charge les charges de faible signal
• La charge de grille typique de 0,4 nC permet des transitions de commutation rapides
• La tolérance grille-source de 20 V permet des tensions d'entraînement flexibles
• La dissipation de puissance de 500 mW permet de gérer la charge thermique dans des configurations compactes
Applications
• Convient pour le changement de niveau et la commutation de signal dans les unités de commande
• Idéal pour les circuits d'interface de capteur alimentés par batterie
• Utilisé avec les petits relais et la commutation de remplacement des transistors
• Peut être utilisé pour les circuits de protection dans l'électronique grand public
• Convient aux modules compacts de gestion de l'alimentation sur les cartes
• Idéal pour les circuits d'interface de capteur alimentés par batterie
• Utilisé avec les petits relais et la commutation de remplacement des transistors
• Peut être utilisé pour les circuits de protection dans l'électronique grand public
• Convient aux modules compacts de gestion de l'alimentation sur les cartes
À quel type de boîtier dois-je m'attendre pour la planification de l'agencement des cartes?
Il est fourni dans un boîtier SOT-23 à montage en surface, ce qui facilite le placement sur les cartes denses.
Comment la température influence-t-elle la capacité opérationnelle?
Il est spécifié pour fonctionner de -55 °C à 150 °C, ce qui permet une utilisation dans des environnements difficiles et à températures élevées.
Quelles sont les dimensions de l'encombrement mécanique pour l'espacement des composants?
Le composant mesure 2,9 x 1,3 x 1 mm, ce qui est utile pour calculer le dégagement et le placement des composants adjacents.
Combien de bornes sont disponibles pour le schéma et le routage?
Le dispositif est doté de trois broches compatibles avec la topologie MOSFET à canal unique pour un routage simple.
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