Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	300 mA
Tension Drain Source maximum	60 V
Type de boîtier	SOT-23
Série	OptiMOS
Type de montage	CMS
Nombre de broches	3
Résistance Drain Source maximum	4 Ω
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	2.5V
Tension de seuil minimale de la grille	1.5V
Dissipation de puissance maximum	500 mW
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-20 V, +20 V
Température d'utilisation maximum	+150 °C
Nombre d'éléments par circuit	1
Largeur	1.3mm
Charge de Grille type @ Vgs	0,4 nC @ 10 V
Matériau du transistor	Si
Longueur	2.9mm
Température de fonctionnement minimum	-55 °C
Hauteur	1mm

Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	300 mA
Tension Drain Source maximum	60 V
Type de boîtier	SOT-23
Série	OptiMOS
Type de montage	CMS
Nombre de broches	3
Résistance Drain Source maximum	4 Ω
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	2.5V
Tension de seuil minimale de la grille	1.5V
Dissipation de puissance maximum	500 mW
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-20 V, +20 V
Température d'utilisation maximum	+150 °C
Nombre d'éléments par circuit	1
Largeur	1.3mm
Charge de Grille type @ Vgs	0,4 nC @ 10 V
Matériau du transistor	Si
Longueur	2.9mm
Température de fonctionnement minimum	-55 °C
Hauteur	1mm

MOSFET Infineon canal N, SOT-23 300 mA 60 V, 3 broches

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