MOSFET canal N Infineon 2.3 A 20 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 OptiMOS 2 AEC-Q101
- Code commande RS:
- 165-5868
- Référence fabricant:
- BSS806NH6327XTSA1
- Marque:
- Infineon
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 165-5868
- Référence fabricant:
- BSS806NH6327XTSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 2.3A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 20V | |
| Série | OptiMOS 2 | |
| Type de Boitier | SOT-23 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 82mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -8, +8V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 1.7nC | |
| Tension directe Vf | 0.82V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 500mW | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 1.3mm | |
| Longueur | 2.9mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 1mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 2.3A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 20V | ||
Série OptiMOS 2 | ||
Type de Boitier SOT-23 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 82mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -8, +8V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 1.7nC | ||
Tension directe Vf 0.82V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 500mW | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 1.3mm | ||
Longueur 2.9mm | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 1mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- CN
Infineon OptiMOS™ 2 Series MOSFET, 2,3A Maximum Continuous Drain Current, 500 mW Maximum Power Dissipation - BSS806NH6327XTSA1
Ce MOSFET est conçu pour une gestion efficace de la puissance dans diverses applications électroniques, supportant un courant de drain continu maximum de 2,3A et une tension de source de drain maximum de 20V. Ses caractéristiques de faible résistance contribuent à minimiser les pertes d'énergie, ce qui le rend adapté aux applications qui exigent un haut niveau de confiance dans des conditions rigoureuses.
Caractéristiques et avantages
• La configuration à canal N améliore les performances de commutation
• Le mode d'amélioration réduit les fuites à l'état bloqué
• Compatibilité avec le niveau logique ultra convenant aux applications 1,8V
• L'indice d'avalanche intégré améliore la robustesse sous contrainte
• La qualification AEC-Q101 pour les applications automobiles garantit des performances durables
• Le montage en surface permet une intégration directe dans les circuits compacts
Applications
• Idéal pour la gestion de l'énergie dans l'électronique automobile
• Utilisé pour piloter des charges à basse tension dans les systèmes d'automatisation
• Adapté à la commutation dans les alimentations électriques
• Conçu pour des environnements de travail à haute température
Peut-il être utilisé dans des applications automobiles ?
Oui, il est qualifié AEC-Q101, ce qui garantit son adéquation aux environnements automobiles.
Quelle est la plage de température de fonctionnement ?
La plage de température de fonctionnement est comprise entre -55°C et +150°C.
Quel est l'impact de la valeur RDS(on) sur la performance du circuit ?
Une faible valeur de RDS(on) réduit la perte de puissance pendant le fonctionnement, ce qui améliore l'efficacité globale.
Quelle est la signification de la tension de seuil de sa porte ?
La tension de seuil de la grille indique le moment où le MOSFET commence à conduire, ce qui est essentiel pour contrôler la synchronisation des commutateurs.
Famille de transistors de puissance MOSFET OptiMOS™2 d'Infineon
La famille Infineon OptiMOS™2 N-Canal offre la plus faible la résistance à l'état passant de l'industrie au sein de son groupe de tension. La série de transistor Power MOSFET peut être utilisée dans de nombreuses applications, y compris les télécommunications et communications haute fréquence, le solaire, les lecteurs basse tension et les alimentations de serveur. La famille de produits OptiMOS 2 offre des plages de 20 V et supérieures et propose une sélection de différents types de boîtiers.
Transistors MOSFET, Infineon
Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.
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