MOSFET canal N Infineon 14.1 A 550 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 CoolMOS CE
- Code commande RS:
- 130-0897
- Référence fabricant:
- IPD50R380CEAUMA1
- Marque:
- Infineon
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 10 unités)*
9,28 €
HT
11,14 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- 50 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
- Plus 60 unité(s) expédiée(s) à partir du 22 octobre 2026
- Plus 2 500 unité(s) expédiée(s) à partir du 10 décembre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 0,928 € | 9,28 € |
| 50 - 490 | 0,883 € | 8,83 € |
| 500 - 990 | 0,637 € | 6,37 € |
| 1000 - 2490 | 0,528 € | 5,28 € |
| 2500 + | 0,516 € | 5,16 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 130-0897
- Référence fabricant:
- IPD50R380CEAUMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 14.1A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 550V | |
| Série | CoolMOS CE | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 380mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 24.8nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | 850mV | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -30V, +30V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 98W | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 6.22mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 6.73mm | |
| Hauteur | 2.41mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 14.1A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 550V | ||
Série CoolMOS CE | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 380mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 24.8nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf 850mV | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -30V, +30V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 98W | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 6.22mm | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 6.73mm | ||
Hauteur 2.41mm | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET de puissance Infineon CoolMOS™ CE
Transistors MOSFET, Infineon
Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N Infineon 14.1 A 550 V Enrichissement TO-252 CoolMOS CE
- MOSFET canal N Infineon 9 A 650 V Enrichissement TO-252 CoolMOS
- MOSFET canal N Infineon 6.8 A 650 V Enrichissement TO-252 CoolMOS CE
- MOSFET canal N Infineon 3.9 A 800 V Enrichissement TO-252 CoolMOS CE
- MOSFET canal N Infineon 1.9 A 80 V Enrichissement TO-252 CoolMOS
- MOSFET canal N Infineon 12 A 650 V Enrichissement TO-252 CoolMOS
- MOSFET canal N Infineon 9 A 500 V Enrichissement TO-252 CoolMOS CE
- MOSFET canal N Infineon 2 A 800 V Enrichissement TO-252 CoolMOS