MOSFET canal N Infineon 2 A 800 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 CoolMOS

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Code commande RS:
214-4479
Numéro d'article Distrelec:
304-39-428
Référence fabricant:
SPD02N80C3ATMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

2A

Tension Drain Source maximum Vds

800V

Type de Boitier

TO-252

Série

CoolMOS

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

2.7Ω

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

16nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension directe Vf

1.2V

Dissipation de puissance maximum Pd

42W

Tension maximale de source de la grille Vgs

30V

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

JEDEC1

Standard automobile

Non

Ce transistor MOSFET Infineon Cool MOS utilise la nouvelle technologie haute tension révolutionnaire et offre une capacité de courant Peak élevée.

Il est doté d'une très faible charge de grille

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