MOSFET 1 Simple onsemi 16.5 A 100 V Enrichissement, 3 broches, JEDEC TO-220AB QFET
- Code commande RS:
- 145-4520
- Référence fabricant:
- FQP17P10
- Marque:
- onsemi
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 145-4520
- Référence fabricant:
- FQP17P10
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 | |
| Configuration du transistor | Simple | |
| Courant continu de Drain maximum (Id) | 16.5 A | |
| Tension Drain Source maximum (Vds) | 100 V | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Type de Boitier | JEDEC TO-220AB | |
| Série | QFET | |
| Résistance Drain Source maximum (Rds) | 190 mΩ | |
| Tension maximale de source de la grille (Vgs) | -30 V, +30 V | |
| Température d'utilisation maximum | +175 °C | |
| Dissipation de puissance maximum (Pd) | 10 W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55 °C | |
| Type de montage | Traversant | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de produit MOSFET | ||
Nombre d'éléments par circuit 1 | ||
Configuration du transistor Simple | ||
Courant continu de Drain maximum (Id) 16.5 A | ||
Tension Drain Source maximum (Vds) 100 V | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Nombre de broches 3 | ||
Type de Boitier JEDEC TO-220AB | ||
Série QFET | ||
Résistance Drain Source maximum (Rds) 190 mΩ | ||
Tension maximale de source de la grille (Vgs) -30 V, +30 V | ||
Température d'utilisation maximum +175 °C | ||
Dissipation de puissance maximum (Pd) 10 W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55 °C | ||
Type de montage Traversant | ||
QFET® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor’s new QFET® Planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.
They offer reduced on-state loss by lowering on-resistance (RDS(on)), and reduced switching loss by lowering gate charge (Qg) and output capacitance (Coss). By using Advanced QFET® process technology, Fairchild can offer an improved figure of merit (FOM) over competing Planar MOSFET devices.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
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