MOSFET 1 Simple onsemi 16.5 A 100 V Enrichissement, 3 broches, JEDEC TO-220AB QFET
- Code commande RS:
- 145-4520
- Référence fabricant:
- FQP17P10
- Marque:
- onsemi
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 145-4520
- Référence fabricant:
- FQP17P10
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 16.5A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 100V | |
| Type de Boitier | JEDEC TO-220AB | |
| Série | QFET | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 190mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -30V, +30V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 10W | |
| Configuration du transistor | Simple | |
| Température d'utilisation maximum | +175°C | |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 16.5A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 100V | ||
Type de Boitier JEDEC TO-220AB | ||
Série QFET | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 190mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -30V, +30V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 10W | ||
Configuration du transistor Simple | ||
Température d'utilisation maximum +175°C | ||
Nombre d'éléments par circuit 1 | ||
Transistor MOSFET à canal P QFET®, Fairchild Semiconductor
Les nouveaux transistors MOSFET planaires QFET® de FairField Semiconductor utilisent une technologie brevetée avancée pour offrir les meilleures performances de fonctionnement de sa catégorie pour une large gamme d'applications, y compris les alimentations, les PFC (correcteur de facteur de puissance), les convertisseurs c.c.-c.c., les panneaux d'affichage au plasma (PDP), les ballasts d'éclairage et le contrôle de mouvement.
Ils offrent une perte d'état sous tension réduite en abaissant la résistance sous tension (RDS(on)), et une perte de commutation réduite en abaissant la charge de grille (Qg) et la capacité de sortie (Coss). En utilisant la technologie de processus QFET® avancée, Fairchild peut offrir un chiffre de mérite (FOM) amélioré par rapport aux dispositifs MOSFET planaires concurrents.
Transistors MOSFET, ON Semi
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Les transistors MOSFET semi-ON offrent une fiabilité de conception supérieure, de la réduction des pics de tension et de la surtension, à la réduction de la capacité de jonction et de la charge de récupération inverse, à l'élimination de composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en marche et en fonctionnement plus longtemps.
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