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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Type de canal	N
	Type de produit	MOSFET QFET
	Courant continu de Drain maximum Id	9.5A
	Tension Drain Source maximum Vds	200V
	Type de Boitier	TO-220F
	Série	QFET
	Type de montage	Traversant
	Nombre de broches	3
	Résistance Drain Source maximum Rds	0.36Ω
	Mode de canal	Enrichissement
	Tension maximale de source de la grille Vgs	-30, +30V
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Dissipation de puissance maximum Pd	38W
	Tension directe Vf	1.5V
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	20nC
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Normes/homologations	No
	Longueur	10.16mm
	Hauteur	9.19mm
	Largeur	4.7mm
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque onsemi
	Type de canal N
	Type de produit MOSFET QFET
	Courant continu de Drain maximum Id 9.5A
	Tension Drain Source maximum Vds 200V
	Type de Boitier TO-220F
	Série QFET
	Type de montage Traversant
	Nombre de broches 3
	Résistance Drain Source maximum Rds 0.36Ω
	Mode de canal Enrichissement
	Tension maximale de source de la grille Vgs -30, +30V
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Dissipation de puissance maximum Pd 38W
	Tension directe Vf 1.5V
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 20nC
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Normes/homologations No
	Longueur 10.16mm
	Hauteur 9.19mm
	Largeur 4.7mm
	Standard automobile Non

Transistor MOSFET à canal N QFET®, de 6 à 10,9 A, Fairchild Semiconductor

Les nouveaux transistors MOSFET planaires QFET® de Fairchild Semiconductor utilisent une technologie propriétaire avancée pour offrir de meilleures performances d'exploitation pour une large gamme d'applications : alimentations, correction de facteur de puissance, convertisseurs c.c./c.c., écrans plasma, ballasts d'éclairage et contrôle de mouvement.

Ils offrent une réduction des pertes à l'état passant en abaissant la résistance à l'état passant (RDS(on), et une perte de commutation réduite en abaissant la charge de grille (Qg) et la capacité de sortie (Coss). En utilisant la technologie du processus de pointe QFET®, Fairchild peut offrir un meilleure facteur de mérite que les dispositifs MOSFET planaires concurrents.

Transistors MOSFET, ON Semi

On Semi offre une gamme substantielle de dispositifs MOSFET qui inclut>< les types haute tension ( 250 V) et basse tension ( 250 V). La technologie de pointe au silicium offre une taille de composant plus réduite. Elle est intégrée à plusieurs normes de l'industrie et dans des formats thermiquement améliorés.

Les transistors MOSFET semi-conducteurs fournissent une fiabilité de conception supérieure, des pointes de tension et des dépassements de tension réduits, pour réduire la capacité de jonction et la charge de récupération inverse, pour éliminer les composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en service plus longtemps.

39,95 €

0,799 €/unité

MOSFET QFET canal N onsemi 9.5 A 200 V Enrichissement, 3 broches, TO-220F QFET

Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €

Transistor MOSFET à canal N QFET®, de 6 à 10,9 A, Fairchild Semiconductor

Transistors MOSFET, ON Semi

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