MOSFET Simple canal N onsemi 4.5 A 500 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 UniFET
- Code commande RS:
- 145-4592
- Référence fabricant:
- FDP5N50NZ
- Marque:
- onsemi
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 145-4592
- Référence fabricant:
- FDP5N50NZ
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 4.5A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 500V | |
| Type de Boitier | TO-220 | |
| Série | UniFET | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 1.5Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 78W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 25V, -25V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Configuration du transistor | Simple | |
| Largeur | 4.7mm | |
| Hauteur | 16.3mm | |
| Longueur | 10.67mm | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 4.5A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 500V | ||
Type de Boitier TO-220 | ||
Série UniFET | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 1.5Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 78W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 25V, -25V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Configuration du transistor Simple | ||
Largeur 4.7mm | ||
Hauteur 16.3mm | ||
Longueur 10.67mm | ||
Transistor MOSFET à canal N UniFETTM, Fairchild Semiconductor
Le MOSFET UniFETTM est la famille de MOSFET haute tension de Fairchild Semiconductor. Il est doté de la plus petite résistance à l'état passant parmi les MOSFET Planar, et fournit également des performances de commutation supérieures et une plus grande résistance à l'énergie d'avalanche. En outre, la diode ESD de source de grille interne permet au MOSFET UniFET-IITM de résister à des surtensions de plus de 2 000 V HBM.
Les MOSFET UniFETTM conviennent aux applications de convertisseurs de puissance à commutation, telles que la correction du facteur de puissance (PFC), l'alimentation TV à écran plat (FPD), ATX (Advanced Technology eXtended) et les ballasts de lampe électroniques.
Transistors MOSFET, ON Semi
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Les transistors MOSFET semi-ON offrent une fiabilité de conception supérieure, de la réduction des pics de tension et de la surtension, à la réduction de la capacité de jonction et de la charge de récupération inverse, à l'élimination de composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en marche et en fonctionnement plus longtemps.
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