MOSFET canal N Infineon 16 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 CoolMOS CP

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Code commande RS:
145-9321
Référence fabricant:
IPA60R199CPXKSA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

16A

Tension Drain Source maximum Vds

650V

Type de Boitier

TO-220

Série

CoolMOS CP

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

199mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

32nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

34W

Tension directe Vf

1.2V

Tension maximale de source de la grille Vgs

-30V, +30V

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

10.65mm

Largeur

4.85mm

Normes/homologations

No

Hauteur

16.15mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
CN

Transistor MOSFET de puissance Infineon CoolMOS™CP


Transistors MOSFET, Infineon


Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.

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