MOSFET canal N Infineon 22 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 CoolMOS
- Code commande RS:
- 222-4699
- Référence fabricant:
- IPP60R099C7XKSA1
- Marque:
- Infineon
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 222-4699
- Référence fabricant:
- IPP60R099C7XKSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 22A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Type de Boitier | TO-220 | |
| Série | CoolMOS | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 99mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 110W | |
| Tension directe Vf | 900mV | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 42nC | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 15.95mm | |
| Hauteur | 4.57mm | |
| Longueur | 10.36mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 22A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Type de Boitier TO-220 | ||
Série CoolMOS | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 99mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 110W | ||
Tension directe Vf 900mV | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 42nC | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 15.95mm | ||
Hauteur 4.57mm | ||
Longueur 10.36mm | ||
Standard automobile Non | ||
Les transistors Infineon MOSFET, également appelés transistors MOSFET, sont l'acronyme de "transistors à effet de champ à semi-conducteur en oxyde métallique". Les MOSFET sont des dispositifs de transistors qui sont commandés par un condensateur. L'effet de champ signifie qu'ils sont commandés par la tension. L'objectif d'un transistor MOSFET est de commander le flux de le courant passant d'une électrode de source à une électrode de drain.
Placage sans plomb; Conforme à la directive RoHS
Résistance thermique supérieure testée à 100 % en avalanche
Sans halogène conformément à la norme CEI 61249-2-23
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