MOSFET canal N Infineon 31 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 CoolMOS

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Code commande RS:
222-4697
Référence fabricant:
IPP60R070CFD7XKSA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

31A

Tension Drain Source maximum Vds

650V

Série

CoolMOS

Type de Boitier

TO-220

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

70mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

67nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Dissipation de puissance maximum Pd

156W

Tension directe Vf

1V

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

4.57mm

Largeur

15.95mm

Longueur

10.36mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

Les transistors Infineon MOSFET, également appelés transistors MOSFET, sont l'acronyme de "transistors à effet de champ à semi-conducteur en oxyde métallique". Les MOSFET sont des dispositifs de transistors qui sont commandés par un condensateur. L'effet de champ signifie qu'ils sont commandés par la tension. L'objectif d'un transistor MOSFET est de commander le flux de le courant passant d'une électrode de source à une électrode de drain.

Placage sans plomb; Conforme à la directive RoHS

Résistance thermique supérieure testée à 100 % en avalanche

Sans halogène conformément à la norme CEI 61249-2-23

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