MOSFET canal N Infineon 37.9 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 CoolMOS

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Code commande RS:
222-4639
Référence fabricant:
IPA60R099P6XKSA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

37.9A

Tension Drain Source maximum Vds

650V

Série

CoolMOS

Type de Boitier

TO-220

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

99mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

La conception Infineon de Cool MOS est une technologie révolutionnaire pour les transistors MOSFET de puissance haute tension, conçue conformément au principe de super jonction (SJ) et développée par Infineon Technologies. La série P6 de refroidissement MOS TM combine l'expérience du fournisseur de MOSFET SJ le plus important avec l'innovation de haute qualité. Les dispositifs proposés offrent tous les avantages d'un transistor MOSFET SJ à commutation rapide tout en ne sacrifiant pas la facilité d'utilisation. Les pertes de commutation et de conduction extrêmement faibles rendent les applications de commutation encore plus efficaces, plus compactes, plus légères et plus froides.

Robustesse MOSFET dv/dt améliorée

Pertes extrêmement faibles grâce à un très faible FOM RDSon * Qg et Eoss

Robustesse de commutation très élevée

Pâte moulée sans halogène à placage sans PB

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