MOSFET canal N Infineon 11 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 CoolMOS C3

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Code commande RS:
752-8467
Référence fabricant:
SPA11N60C3XKSA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

11A

Tension Drain Source maximum Vds

650V

Type de Boitier

TO-220

Série

CoolMOS C3

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

380mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

33W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20V, +20V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

45nC

Tension directe Vf

1V

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

4.85mm

Normes/homologations

No

Hauteur

9.83mm

Longueur

10.65mm

Standard automobile

Non

Transistors MOSFET de puissance Infineon CoolMOS™C3


Transistors MOSFET, Infineon


Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.

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