MOSFET canal N Infineon 31 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 CoolMOS
- Code commande RS:
- 222-4698
- Référence fabricant:
- IPP60R070CFD7XKSA1
- Marque:
- Infineon
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 2 unités)*
12,97 €
HT
15,56 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- 338 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 6,485 € | 12,97 € |
| 10 - 18 | 5,64 € | 11,28 € |
| 20 - 48 | 5,32 € | 10,64 € |
| 50 - 98 | 4,93 € | 9,86 € |
| 100 + | 4,55 € | 9,10 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 222-4698
- Référence fabricant:
- IPP60R070CFD7XKSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 31A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Type de Boitier | TO-220 | |
| Série | CoolMOS | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 70mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension directe Vf | 1V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 156W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 67nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 15.95mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 10.36mm | |
| Hauteur | 4.57mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 31A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Type de Boitier TO-220 | ||
Série CoolMOS | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 70mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension directe Vf 1V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 156W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 67nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 15.95mm | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 10.36mm | ||
Hauteur 4.57mm | ||
Standard automobile Non | ||
Les transistors Infineon MOSFET, également appelés transistors MOSFET, sont l'acronyme de "transistors à effet de champ à semi-conducteur en oxyde métallique". Les MOSFET sont des dispositifs de transistors qui sont commandés par un condensateur. L'effet de champ signifie qu'ils sont commandés par la tension. L'objectif d'un transistor MOSFET est de commander le flux de le courant passant d'une électrode de source à une électrode de drain.
Placage sans plomb; Conforme à la directive RoHS
Résistance thermique supérieure testée à 100 % en avalanche
Sans halogène conformément à la norme CEI 61249-2-23
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N Infineon 31 A 650 V Enrichissement TO-220 CoolMOS
- MOSFET canal N Infineon 31 A 650 V Enrichissement TO-263 CoolMOS
- MOSFET canal N Infineon 31 A 650 V Enrichissement TO-247 CoolMOS CFD7
- MOSFET canal N Infineon 31 A 650 V Enrichissement TO-247 CoolMOS CP
- MOSFET canal N Infineon 19 A 650 V Enrichissement TO-220 CoolMOS
- MOSFET canal N Infineon 22 A 650 V Enrichissement TO-220 CoolMOS
- MOSFET canal N Infineon 16 A 650 V Enrichissement TO-220 CoolMOS
- MOSFET canal N Infineon 37.9 A 650 V Enrichissement TO-220 CoolMOS