MOSFET Nexperia canal N, SOT-23 1 A 100 V, 3 broches

Transistors MOSFET canal N 75 V-200 V. Vous êtes maintenant dans l'un des plus grands portefeuilles de MOS standard au monde. Etes-vous à la recherche de transistors MOSFET haute fiabilité dans la plage de 75 V à 200 V pour simplifier vos conceptions ? Nos dispositifs sont parfaits pour les applications à espace et puissance limités, offrant d'excellentes performances de commutation et une zone de fonctionnement sûre (SOA) de pointe. Par exemple, les transistors MOSFET de puissance de notre gamme LFPAK offrent un RDSon ultra-faible, une commutation haute vitesse et des tensions nominales jusqu'à 200 V.

Transistor MOSFET à tranchée canal N 100 V, transistor à effet de champ (FET) à enrichissement canal N, intégré dans un petit boîtier en plastique à montage en surface (CMS) SOT23 (TO-236AB) utilisant la technologie MOSFET à tranchée.

Niveau logique compatible
Commutation très rapide
Technologie MOSFET à tranchée
Protection contre les décharges électrostatiques (PSDE) > HBM 2 kV
Certifié AEC-Q101
Driver de relais
Driver de ligne haut débit
Commutateur en charge Low-side
Circuits de commutation