MOSFET P Vishay 4 A 20 V Enrichissement, 6 broches, SC-70 Si1441EDH

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Code commande RS:
159-6522
Référence fabricant:
SI1441EDH-T1-GE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de canal

Type P

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

4A

Tension Drain Source maximum Vds

20V

Type de Boitier

SC-70

Série

Si1441EDH

Type de montage

En surface

Nombre de broches

6

Résistance Drain Source maximum Rds

100mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

22nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

-10V, +10V

Tension directe Vf

-1.2V

Dissipation de puissance maximum Pd

2.8W

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

1mm

Normes/homologations

No

Largeur

1.35mm

Longueur

2.2mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
CN

Transistor MOSFET canal P, de 8 à 20 V, Vishay Semiconductor


Transistors MOSFET, Vishay Semiconductor


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