MOSFET canal N Infineon 190 mA 100 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 OptiMOS AEC-Q101

Code commande RS:: 165-5873
Référence fabricant:: BSS119NH6327XTSA1
Marque:: Infineon

MOSFET canal N Infineon 190 mA 100 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 OptiMOS AEC-Q101

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

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Code commande RS:: 165-5873
Référence fabricant:: BSS119NH6327XTSA1
Marque:: Infineon

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Type de canal	N
	Type de produit	MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id	190mA
	Tension Drain Source maximum Vds	100V
	Série	OptiMOS
	Type de Boitier	SOT-23
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	3
	Résistance Drain Source maximum Rds	10Ω
	Mode de canal	Enrichissement
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	0.6nC
	Tension maximale de source de la grille Vgs	-20V, +20V
	Tension directe Vf	800mV
	Dissipation de puissance maximum Pd	500mW
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Longueur	2.9mm
	Largeur	1.3mm
	Hauteur	1mm
	Normes/homologations	No
	Standard automobile	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Type de canal N
	Type de produit MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id 190mA
	Tension Drain Source maximum Vds 100V
	Série OptiMOS
	Type de Boitier SOT-23
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 3
	Résistance Drain Source maximum Rds 10Ω
	Mode de canal Enrichissement
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 0.6nC
	Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V
	Tension directe Vf 800mV
	Dissipation de puissance maximum Pd 500mW
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Longueur 2.9mm
	Largeur 1.3mm
	Hauteur 1mm
	Normes/homologations No
	Standard automobile AEC-Q101

BSS119N OptiMOS Small Signal Transistor Datasheet

Pays d'origine :: CN

Transistor MOSFET Infineon série OptiMOS, tension de source de drain maximale de 100 V, courant de drain continu maximal de 190 mA - BSS119NH6327XTSA1

Ce MOSFET est un transistor à canal N à montage en surface conçu pour les tâches de commutation et d'amplification dans les assemblages électroniques compacts. Il fonctionne sur une large plage de températures adaptée aux environnements exigeants et est destiné à une utilisation où une faible dissipation de puissance et une capacité de courant modeste sont acceptables. Le dispositif est fourni dans un boîtier SOT-23 à trois broches optimisé pour l'assemblage de circuits imprimés automatisé.

Caractéristiques et avantages :

• La valeur nominale drain-source de 100 V permet une capacité de commutation haute tension
• Le Rds maximal de 10 Ω fournit de faibles pertes de conduction pour les petites charges
• La dissipation de puissance maximale de 500 mW gère la charge thermique dans les circuits compacts
• Le courant de drain continu de 190 mA prend en charge les applications de contrôle à faible courant
• La charge de grille typique de 0,6 nC permet une commutation plus rapide avec une énergie d'entraînement minimale
• La tolérance de grille de ±20 V s'adapte à une large plage d'entraînement de grille

Applications

• Convient à la commutation et au contrôle des signaux capteurs automobiles
• Idéal pour la gestion de l'alimentation à faible courant à usage général
• Utilisé avec les circuits de surveillance de la gestion de la batterie dans les véhicules
• Peut être utilisé pour le changement de niveau haute tension à faible signal
• Utilisé pour les pilotes d'étage de grille dans les conceptions de convertisseurs à faible puissance

Quelle méthode de montage est nécessaire pour l'assemblage de circuits imprimés?

Il est destiné au montage en surface dans un encombrement SOT-23 à trois bornes compatible avec les processus de prélèvement et de positionnement standard.

Comment se comporte-t-il à des températures extrêmes?

Il est conçu pour fonctionner de -55 °C à 150 °C, conservant sa fonctionnalité sur des plages thermiques de qualité automobile.

Quelles sont les considérations à prendre en compte pour l'entraînement de grille?

Le dispositif accepte jusqu'à ±20 V sur la grille et est doté d'une faible charge de grille typique de 0,6 nC, ce qui réduit les besoins en énergie du driver et permet des circuits d'entraînement plus petits.

Quelle enveloppe mécanique les concepteurs doivent-ils tolérer?

Le boîtier mesure 2,9 x 1,3 x 1 mm, ce qui permet des configurations de circuits imprimés denses tout en fournissant la distance de fuite nécessaire pour sa classe de tension.