Name: Transistor de puissance P Infineon 50 A 40 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 OptiMOS P AEC-Q
Brand: Infineon
SKU: 165-5949
Price: 0.43 EUR
Availability: OutOfStock

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Type de canal	Type P
	Type de produit	Transistor de puissance
	Courant continu de Drain maximum Id	50A
	Tension Drain Source maximum Vds	40V
	Série	OptiMOS P
	Type de Boitier	TO-252
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	3
	Résistance Drain Source maximum Rds	12.6mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Dissipation de puissance maximum Pd	58W
	Tension maximale de source de la grille Vgs	-20V, +20V
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	39nC
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Tension directe Vf	1.3V
	Température d'utilisation maximum	175°C
	Hauteur	2.3mm
	Longueur	6.5mm
	Normes/homologations	RoHS
	Largeur	6.22mm
	Standard automobile	AEC-Q

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	Marque Infineon
	Type de canal Type P
	Type de produit Transistor de puissance
	Courant continu de Drain maximum Id 50A
	Tension Drain Source maximum Vds 40V
	Série OptiMOS P
	Type de Boitier TO-252
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 3
	Résistance Drain Source maximum Rds 12.6mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Dissipation de puissance maximum Pd 58W
	Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 39nC
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Tension directe Vf 1.3V
	Température d'utilisation maximum 175°C
	Hauteur 2.3mm
	Longueur 6.5mm
	Normes/homologations RoHS
	Largeur 6.22mm
	Standard automobile AEC-Q

Statut RoHS non applicable

Pays d'origine :: CN

Transistors MOSFET de puissance à canal P Infineon OptiMOS™

Les transistors de MOSFET de puissance à canal P Infineon OptiMOS™ sont conçus pour fournir des caractéristiques améliorées permettant d'atteindre des performances de qualité. Les caractéristiques incluent une perte de commutation ultra faible, la résistance à l'état passant, les valeurs nominales avalanche, ainsi que la conformité AEC pour les solutions automobiles. Les applications incluent le c.c.-c.c., la commande de moteur, l'automobile et eMobility.

Mode d'enrichissement

Résistance aux avalanches

Faibles pertes de puissance de commutation et conductivité

Placage sans plomb, conforme à la directive RoHS

Boîtiers standard

Série canal P OptiMOS™ : plage de température de -55 °C à +175 °C

Transistors MOSFET, Infineon

Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.

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