Références fabricant

Transistor de puissance P Infineon 120 A 40 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 OptiMOS P AEC-Q

Code commande RS:: 826-9092
Référence fabricant:: IPB120P04P4L03ATMA1
Marque:: Infineon

Transistor de puissance P Infineon 120 A 40 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 OptiMOS P AEC-Q

Sous-total (1 paquet de 10 unités)*

9,24 €

11,09 €

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Unité	Prix par unité	le paquet*
10 +	0,924 €	9,24 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 826-9092
Référence fabricant:: IPB120P04P4L03ATMA1
Marque:: Infineon

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Type de canal	Type P
	Type de produit	Transistor de puissance
	Courant continu de Drain maximum Id	120A
	Tension Drain Source maximum Vds	40V
	Type de Boitier	TO-263
	Série	OptiMOS P
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	3
	Résistance Drain Source maximum Rds	5.2mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Tension maximale de source de la grille Vgs	-16V, +16V
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	180nC
	Tension directe Vf	1.3V
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Dissipation de puissance maximum Pd	136W
	Température d'utilisation maximum	175°C
	Normes/homologations	RoHS
	Largeur	9.25mm
	Hauteur	4.4mm
	Longueur	10mm
	Standard automobile	AEC-Q

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Type de canal Type P
	Type de produit Transistor de puissance
	Courant continu de Drain maximum Id 120A
	Tension Drain Source maximum Vds 40V
	Type de Boitier TO-263
	Série OptiMOS P
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 3
	Résistance Drain Source maximum Rds 5.2mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Tension maximale de source de la grille Vgs -16V, +16V
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 180nC
	Tension directe Vf 1.3V
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Dissipation de puissance maximum Pd 136W
	Température d'utilisation maximum 175°C
	Normes/homologations RoHS
	Largeur 9.25mm
	Hauteur 4.4mm
	Longueur 10mm
	Standard automobile AEC-Q

Statut RoHS non applicable

Transistors MOSFET de puissance à canal P Infineon OptiMOS™

Les transistors de MOSFET de puissance à canal P Infineon OptiMOS™ sont conçus pour fournir des caractéristiques améliorées permettant d'atteindre des performances de qualité. Les caractéristiques incluent une perte de commutation ultra faible, la résistance à l'état passant, les valeurs nominales avalanche, ainsi que la conformité AEC pour les solutions automobiles. Les applications incluent le c.c.-c.c., la commande de moteur, l'automobile et eMobility.

Mode d'enrichissement

Résistance aux avalanches

Faibles pertes de puissance de commutation et conductivité

Placage sans plomb, conforme à la directive RoHS

Boîtiers standard

Série canal P OptiMOS™ : plage de température de -55 °C à +175 °C

Transistors MOSFET, Infineon

Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.

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