Transistor de puissance P Infineon 120 A 40 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 OptiMOS P AEC-Q

Code commande RS:: 124-8751
Référence fabricant:: IPB120P04P4L03ATMA1
Marque:: Infineon

Transistor de puissance P Infineon 120 A 40 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 OptiMOS P AEC-Q

Sous-total (1000 unités, sur une bobine de 1000)*

902,00 €

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Unité	Prix par unité	la bobine*
1000 +	0,902 €	902,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 124-8751
Référence fabricant:: IPB120P04P4L03ATMA1
Marque:: Infineon

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Type de produit	Transistor de puissance
	Type de canal	Type P
	Courant continu de Drain maximum Id	120A
	Tension Drain Source maximum Vds	40V
	Série	OptiMOS P
	Type de Boitier	TO-263
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	3
	Résistance Drain Source maximum Rds	5.2mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	180nC
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Dissipation de puissance maximum Pd	136W
	Tension directe Vf	1.3V
	Tension maximale de source de la grille Vgs	-16V, +16V
	Température d'utilisation maximum	175°C
	Normes/homologations	RoHS
	Largeur	9.25mm
	Longueur	10mm
	Hauteur	4.4mm
	Standard automobile	AEC-Q

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Type de produit Transistor de puissance
	Type de canal Type P
	Courant continu de Drain maximum Id 120A
	Tension Drain Source maximum Vds 40V
	Série OptiMOS P
	Type de Boitier TO-263
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 3
	Résistance Drain Source maximum Rds 5.2mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 180nC
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Dissipation de puissance maximum Pd 136W
	Tension directe Vf 1.3V
	Tension maximale de source de la grille Vgs -16V, +16V
	Température d'utilisation maximum 175°C
	Normes/homologations RoHS
	Largeur 9.25mm
	Longueur 10mm
	Hauteur 4.4mm
	Standard automobile AEC-Q

Statut RoHS non applicable

Pays d'origine :: CN

Transistors MOSFET de puissance à canal P Infineon OptiMOS™

Les transistors de MOSFET de puissance à canal P Infineon OptiMOS™ sont conçus pour fournir des caractéristiques améliorées permettant d'atteindre des performances de qualité. Les caractéristiques incluent une perte de commutation ultra faible, la résistance à l'état passant, les valeurs nominales avalanche, ainsi que la conformité AEC pour les solutions automobiles. Les applications incluent le c.c.-c.c., la commande de moteur, l'automobile et eMobility.

Mode d'enrichissement

Résistance aux avalanches

Faibles pertes de puissance de commutation et conductivité

Placage sans plomb, conforme à la directive RoHS

Boîtiers standard

Série canal P OptiMOS™ : plage de température de -55 °C à +175 °C

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