Références fabricant

MOSFET canal N Infineon 375 A 60 V Enrichissement, 15 broches, DirectFET DirectFET, HEXFET

Code commande RS:: 165-8086
Référence fabricant:: IRF7749L1TRPBF
Marque:: Infineon

MOSFET canal N Infineon 375 A 60 V Enrichissement, 15 broches, DirectFET DirectFET, HEXFET

Sous-total (1 bobine de 4000 unités)*

10 140,00 €

12 168,00 €

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Unité	Prix par unité	la bobine*
4000 +	2,535 €	10 140,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 165-8086
Référence fabricant:: IRF7749L1TRPBF
Marque:: Infineon

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Type de canal	N
	Type de produit	MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id	375A
	Tension Drain Source maximum Vds	60V
	Série	DirectFET, HEXFET
	Type de Boitier	DirectFET
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	15
	Résistance Drain Source maximum Rds	1.5mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Dissipation de puissance maximum Pd	125W
	Tension directe Vf	1.3V
	Tension maximale de source de la grille Vgs	-20V, +20V
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	200nC
	Température d'utilisation maximum	175°C
	Largeur	7.1mm
	Longueur	9.15mm
	Normes/homologations	No
	Hauteur	490μm
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Type de canal N
	Type de produit MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id 375A
	Tension Drain Source maximum Vds 60V
	Série DirectFET, HEXFET
	Type de Boitier DirectFET
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 15
	Résistance Drain Source maximum Rds 1.5mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Dissipation de puissance maximum Pd 125W
	Tension directe Vf 1.3V
	Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 200nC
	Température d'utilisation maximum 175°C
	Largeur 7.1mm
	Longueur 9.15mm
	Normes/homologations No
	Hauteur 490μm
	Standard automobile Non

IRF7749L1PbF, DirectFET Power MOSFET

Pays d'origine :: MX

Transistor MOSFET de puissance DirectFET®, Infineon

Le boîtier de puissance DirectFET® est une technologie de boîtier de transistor de puissance MOSFET à montage en surface. Les transistors MOSFET DirectFET® permettent de réduire les pertes d'énergie tout en réduisant l'encombrement dans les applications de commutation avancées.

La résistance à l'état passant la plus faible du secteur dans leurs tailles respectives

Résistance de boîtier extrêmement faible pour minimiser les pertes de conduction

Refroidissement double face très efficace améliorant considérablement la densité de puissance, le coût et la fiabilité

Bas profil de seulement 0,7 mm

Transistors MOSFET, Infineon

Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.

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