Références fabricant

MOSFET canal N Infineon 86 A 60 V Enrichissement, 4 broches, MN DirectFET, HEXFET

Code commande RS:: 130-0948
Référence fabricant:: IRF6648TRPBF
Marque:: Infineon

MOSFET canal N Infineon 86 A 60 V Enrichissement, 4 broches, MN DirectFET, HEXFET

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20 - 48	2,395 €	4,79 €	12%
50 - 98	2,245 €	4,49 €	17%
100 - 198	2,09 €	4,18 €	23%
200 +	1,925 €	3,85 €	29%

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 130-0948
Référence fabricant:: IRF6648TRPBF
Marque:: Infineon

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Type de canal	N
	Type de produit	MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id	86A
	Tension Drain Source maximum Vds	60V
	Série	DirectFET, HEXFET
	Type de Boitier	MN
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	4
	Résistance Drain Source maximum Rds	7mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Température minimum de fonctionnemen	-40°C
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	36nC
	Tension maximale de source de la grille Vgs	-20V, +20V
	Tension directe Vf	1.3V
	Dissipation de puissance maximum Pd	89W
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Normes/homologations	No
	Largeur	5.05mm
	Longueur	6.35mm
	Hauteur	500μm
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Type de canal N
	Type de produit MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id 86A
	Tension Drain Source maximum Vds 60V
	Série DirectFET, HEXFET
	Type de Boitier MN
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 4
	Résistance Drain Source maximum Rds 7mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Température minimum de fonctionnemen -40°C
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 36nC
	Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V
	Tension directe Vf 1.3V
	Dissipation de puissance maximum Pd 89W
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Normes/homologations No
	Largeur 5.05mm
	Longueur 6.35mm
	Hauteur 500μm
	Standard automobile Non

IRF6648PbF, IRF6648TRPbF, DirectFET Power MOSFET 60V

Transistor MOSFET de puissance DirectFET®, Infineon

Le boîtier de puissance DirectFET® est une technologie de boîtier de transistor de puissance MOSFET à montage en surface. Les transistors MOSFET DirectFET® permettent de réduire les pertes d'énergie tout en réduisant l'encombrement dans les applications de commutation avancées.

La résistance à l'état passant la plus faible du secteur dans leurs tailles respectives

Résistance de boîtier extrêmement faible pour minimiser les pertes de conduction

Refroidissement double face très efficace améliorant considérablement la densité de puissance, le coût et la fiabilité

Bas profil de seulement 0,7 mm

Transistors MOSFET, Infineon

Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.

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