MOSFET canal N Infineon 150 A 20 V Enrichissement, 2 broches, DirectFET HEXFET
- Code commande RS:
- 222-4736
- Référence fabricant:
- IRF6620TRPBF
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 4800 unités)*
2 904,00 €
HT
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 4800 + | 0,605 € | 2 904,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 222-4736
- Référence fabricant:
- IRF6620TRPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 150A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 20V | |
| Série | HEXFET | |
| Type de Boitier | DirectFET | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 2 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 3.6mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 89W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Tension directe Vf | 1V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 28nC | |
| Largeur | 5.05mm | |
| Longueur | 6.35mm | |
| Hauteur | 680μm | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 150A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 20V | ||
Série HEXFET | ||
Type de Boitier DirectFET | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 2 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 3.6mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 89W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Tension directe Vf 1V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 28nC | ||
Largeur 5.05mm | ||
Longueur 6.35mm | ||
Hauteur 680μm | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
La conception Infineon de la technologie de silicium MOSFET de puissance HEXFET ® avec l'emballage Advanced Direct FETTM pour obtenir la plus faible résistance à l'état passant dans un boîtier qui a l'encombrement d'un profil SO-8 et de seulement 0,7 mm. Le boîtier DirectFET est compatible avec les géométries de disposition existantes utilisées dans les applications de puissance, l'équipement d'assemblage de CI et les techniques de soudage à la vapeur, infrarouge ou à convection, lorsque la note d'application AN-1035 est suivie concernant les méthodes et les processus de fabrication.
Testé à 100 % par Rg, faible conduction et pertes de commutation
Inductance de boîtier ultra-faible idéale pour les convertisseurs c.c.-c.c. à cœur de processeur
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