MOSFET Infineon canal N, DirectFET isométrique 18 A 150 V

Infineon combine la toute dernière technologie de silicium MOSFET de puissance HEXFET automobile avec la plate-forme Advanced de conditionnement pour produire une pièce de classe supérieure pour les applications d'amplificateur audio automobile de classe D. Le boîtier est compatible avec les géométries de disposition existantes utilisées dans les applications d'alimentation, l'équipement d'assemblage de CI et les techniques de soudage par infrarouge ou par convection, etc. Le boîtier permet un refroidissement double face pour maximiser le transfert thermique dans les systèmes d'alimentation automobiles. Ces caractéristiques se combinent pour faire de ce transistor MOSFET un composant hautement souhaitable dans les systèmes d'amplificateur audio de classe D automobile.

Technologie de traitement avancée
Température d'utilisation de 175 °C