MOSFET canal N Infineon 124 A 100 V Enrichissement, DirectFET HEXFET
- Code commande RS:
- 257-9317
- Référence fabricant:
- IRF7769L1TRPBF
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 4000 unités)*
12 000,00 €
HT
14 400,00 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 29 mars 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 4000 + | 3,00 € | 12 000,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 257-9317
- Référence fabricant:
- IRF7769L1TRPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 124A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 100V | |
| Type de Boitier | DirectFET | |
| Série | HEXFET | |
| Type de montage | Traversant | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 3.50mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | +175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 124A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 100V | ||
Type de Boitier DirectFET | ||
Série HEXFET | ||
Type de montage Traversant | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 3.50mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum +175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET Infineon série HEXFET, tension drain-source maximale de 100 V, courant de drain continu maximal de 124 A - IRF7769L1TRPBF
Ce MOSFET est un dispositif d'amélioration de canal N à trou traversant conçu pour la commutation à courant élevé dans les systèmes électriques exigeants. Il fonctionne dans une large plage de températures adaptée aux conditions industrielles et est conforme aux restrictions environnementales RoHS. Le composant est fourni dans un boîtier DirectFET destiné aux applications nécessitant une gestion thermique efficace et une intégration de carte compacte.
Caractéristiques et avantages :
• Le RDS(on) de 3,50 mΩ réduit les pertes de conduction pour un rendement plus élevé
• Le VDS 100 V permet le fonctionnement dans les topologies à moyenne tension
• Le courant de drain continu de 124 A prend en charge une puissance élevée
• La tension directe VF de 1,3 V permet un contrôle précis de la porte à la source
• La plage de températures de -55 à +175 °C garantit une tolérance thermique étendue
• Le VDS 100 V permet le fonctionnement dans les topologies à moyenne tension
• Le courant de drain continu de 124 A prend en charge une puissance élevée
• La tension directe VF de 1,3 V permet un contrôle précis de la porte à la source
• La plage de températures de -55 à +175 °C garantit une tolérance thermique étendue
Applications
• Convient aux systèmes d'alimentation et de commande de moteur
• Utilisé avec les racks de distribution d'alimentation c.c. à courant élevé
• Idéal pour les étages de convertisseurs et d'onduleurs industriels
• Peut être utilisé pour la gestion de la batterie et la régulation de la charge
• Utilisé avec les racks de distribution d'alimentation c.c. à courant élevé
• Idéal pour les étages de convertisseurs et d'onduleurs industriels
• Peut être utilisé pour la gestion de la batterie et la régulation de la charge
Quel type de boîtier est utilisé pour la manipulation thermique?
Il utilise un boîtier DirectFET pour faciliter une faible résistance thermique et un transfert de chaleur efficace.
Quelle méthode de montage nécessite-t-il?
Le dispositif est conçu pour un montage traversant afin de fournir une connexion mécanique et thermique robuste.
L'appareil est-il adapté aux qualifications automobiles?
Il n'est pas spécifié comme une pièce standard automobile et doit donc être évalué par rapport aux exigences spécifiques des véhicules.
Quelle polarité et quel mode de canal sont mis en œuvre?
La pièce est un dispositif à canal N fonctionnant en mode d'amélioration, adapté aux commutateurs courants high-side ou low-side.
Le composant est-il conforme aux directives environnementales?
Il est conforme à la directive RoHS, ce qui indique la restriction de certaines substances dangereuses.
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N Infineon 124 A 100 V Enrichissement, DirectFET HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 375 A 60 V Enrichissement DirectFET DirectFET, HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 150 A 20 V Enrichissement DirectFET HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 81 A 20 V Enrichissement DirectFET HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 55 A 80 V Enrichissement DirectFET HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 68 A 60 V Enrichissement DirectFET HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 19 A 200 V Enrichissement DirectFET HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 21 A 60 V Enrichissement DirectFET HEXFET