MOSFET canal N Infineon 112 A 40 V Enrichissement, 9 broches, DirectFET HEXFET AEC-Q101
- Code commande RS:
- 214-8965
- Référence fabricant:
- AUIRL7736M2TR
- Marque:
- Infineon
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 214-8965
- Référence fabricant:
- AUIRL7736M2TR
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 112A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 40V | |
| Type de Boitier | DirectFET | |
| Série | HEXFET | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 9 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 3mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 52nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 63W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 16V | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Longueur | 6.35mm | |
| Largeur | 5.05mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 740μm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 112A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 40V | ||
Type de Boitier DirectFET | ||
Série HEXFET | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 9 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 3mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 52nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 63W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 16V | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Longueur 6.35mm | ||
Largeur 5.05mm | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 740μm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Infineon combine la toute dernière technologie de silicium MOSFET de puissance HEXFET automobile avec la plate-forme Advanced d'emballage pour obtenir des performances exceptionnelles dans un boîtier qui a l'empreinte d'un PQFN SO-8 ou 5X6mm et d'un profil de seulement 0,7 mm. Le boîtier est compatible avec les géométries de disposition existantes utilisées dans les applications d'alimentation, l'équipement d'assemblage de CI et les techniques de soudage par infrarouge ou par convection, etc. Le boîtier permet un refroidissement double face pour maximiser le transfert thermique dans les systèmes d'alimentation automobiles.
Technologie de traitement avancée
Niveau logique
Forte densité de puissance
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