MOSFET Infineon canal N, Grand boîtier DirectFET 160 A 75 V

Le transistor MOSFET de puissance d'Infineon est conçu pour les applications où l'efficacité et la densité de puissance sont essentielles. La plate-forme d'emballage DirectFET avancée couplée à la dernière technologie au silicium lui permet d'offrir des économies substantielles de niveau de système et une amélioration des performances spécifiquement dans l'entraînement de moteur, la haute fréquence c.c.-c.c. et d'autres applications de charge lourde sur les plates-formes ICE, HEV et EV. Ce transistor MOSFET utilise les dernières techniques de traitement pour atteindre une faible résistance sous tension et un faible Qg par zone de silicium. Les caractéristiques supplémentaires de ce transistor MOSFET sont la capacité de courant de crête répétitif élevé. Ces caractéristiques se combinent pour faire de ce transistor MOSFET un dispositif extrêmement efficace, robuste et fiable pour les applications automobiles à courant élevé.

Conforme à la directive RoHS
Refroidissement double face
Haute densité de puissance
Certifié pour l'automobile
Faibles paramètres parasites
Sans plomb et sans halogène
Technologie de processus avancée