MOSFET canal N Infineon -160 A -30 V, DirectFET HEXFET
- Code commande RS:
- 257-9333
- Référence fabricant:
- IRF9383MTRPBF
- Marque:
- Infineon
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 257-9333
- Référence fabricant:
- IRF9383MTRPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | -160A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | -30V | |
| Type de Boitier | DirectFET | |
| Série | HEXFET | |
| Type de montage | En surface | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 4.8mΩ | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 67nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 113W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Tension directe Vf | -1.2V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id -160A | ||
Tension Drain Source maximum Vds -30V | ||
Type de Boitier DirectFET | ||
Série HEXFET | ||
Type de montage En surface | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 4.8mΩ | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 67nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 113W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Tension directe Vf -1.2V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
La série IRF d'Infineon est un mosfet de puissance IRFET puissant à canal P simple de -30 V dans un boîtier direct FET mx. La famille de puissants IRFET de puissance Mosfet est optimisée pour un faible RDS (marche) et une capacité de courant élevé. Les dispositifs sont parfaits pour les applications à basse fréquence nécessitant des performances et une robustesse. La gamme complète couvre une large gamme d'applications, y compris les moteurs c.c., les systèmes de gestion de batterie, les inverseurs et les convertisseurs c.c.-c.c.
Optimisé pour la plus grande disponibilité auprès des partenaires de distribution
Qualification du produit conformément à la norme JEDEC
Intensité nominale élevée
Capacité de refroidissement double côté
Faible hauteur de boîtier de 0,7 mm
Boîtier à faible inductance parasite (1 à 2 nH)
100 % sans plomb (pas d'exemption RoHS)
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