MOSFET canal N Infineon 217 A 40 V, DirectFET HEXFET
- Code commande RS:
- 257-9313
- Référence fabricant:
- IRF7480MTRPBF
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 4800 unités)*
3 940,80 €
HT
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 4800 + | 0,821 € | 3 940,80 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 257-9313
- Référence fabricant:
- IRF7480MTRPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 217A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 40V | |
| Type de Boitier | DirectFET | |
| Série | HEXFET | |
| Type de montage | En surface | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 1.2mΩ | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 123nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 96W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 217A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 40V | ||
Type de Boitier DirectFET | ||
Série HEXFET | ||
Type de montage En surface | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 1.2mΩ | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 123nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 96W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
La série IRF d'Infineon est un mosfet de puissance IRFET puissant à canal n simple de 40 V dans un boîtier FET ME direct. La famille de puissants IRFET de puissance Mosfet est optimisée pour un faible RDS (marche) et une capacité de courant élevé. Les dispositifs sont parfaits pour les applications à basse fréquence nécessitant des performances et une robustesse. La gamme complète couvre une large gamme d'applications, y compris les moteurs c.c., les systèmes de gestion de batterie, les inverseurs et les convertisseurs c.c.-c.c. Les applications finales incluent l'alimentation sans fil et les outils de jardinage, les véhicules électriques légers et les vélos électriques qui exigent un haut niveau de robustesse et d'efficacité énergétique.
Capacité de refroidissement double côté
Faible hauteur de boîtier de 0,7 mm
Boîtier à faible inductance parasite (1 à 2 nH)
100 % sans plomb (pas d'exemption ROHS)
Optimisé au silicium pour les applications de commutation inférieures à 100 kHz
Qualification du produit conformément à la norme JEDEC
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