MOSFET canal N Infineon -160 A -30 V, DirectFET HEXFET
- Code commande RS:
- 257-9332
- Référence fabricant:
- IRF9383MTRPBF
- Marque:
- Infineon
Actuellement indisponible
Nous ne savons pas si cet article sera de nouveau disponible. RS a l'intention de le retirer de son assortiment sous peu.
- Code commande RS:
- 257-9332
- Référence fabricant:
- IRF9383MTRPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | -160A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | -30V | |
| Type de Boitier | DirectFET | |
| Série | HEXFET | |
| Type de montage | En surface | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 4.8mΩ | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 67nC | |
| Tension directe Vf | -1.2V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 113W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id -160A | ||
Tension Drain Source maximum Vds -30V | ||
Type de Boitier DirectFET | ||
Série HEXFET | ||
Type de montage En surface | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 4.8mΩ | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 67nC | ||
Tension directe Vf -1.2V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 113W | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
La série IRF d'Infineon est un mosfet de puissance IRFET puissant à canal P simple de -30 V dans un boîtier direct FET mx. La famille de puissants IRFET de puissance Mosfet est optimisée pour un faible RDS (marche) et une capacité de courant élevé. Les dispositifs sont parfaits pour les applications à basse fréquence nécessitant des performances et une robustesse. La gamme complète couvre une large gamme d'applications, y compris les moteurs c.c., les systèmes de gestion de batterie, les inverseurs et les convertisseurs c.c.-c.c.
Optimisé pour la plus grande disponibilité auprès des partenaires de distribution
Qualification du produit conformément à la norme JEDEC
Intensité nominale élevée
Capacité de refroidissement double côté
Faible hauteur de boîtier de 0,7 mm
Boîtier à faible inductance parasite (1 à 2 nH)
100 % sans plomb (pas d'exemption RoHS)
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N Infineon -160 A -30 V, DirectFET HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 160 A 75 V, DirectFET HEXFET AEC-Q101
- MOSFET canal N Infineon 375 A 60 V Enrichissement DirectFET DirectFET, HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 217 A 40 V, DirectFET HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 375 A 40 V, DirectFET HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 124 A 100 V Enrichissement, DirectFET HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 67 A 150 V DirectFET HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 35 A 150 V DirectFET HEXFET