MOSFET canal N Infineon 375 A 40 V, DirectFET HEXFET
- Code commande RS:
- 257-5861
- Référence fabricant:
- IRL7472L1TRPBF
- Marque:
- Infineon
Bénéficiez d'une remise sur les achats en gros
Ajoutez 20 de plus pour économiser 15,20 €
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 2 unités)*
15,32 €
HT
18,38 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 19 février 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* | Économie |
|---|---|---|---|
| 2 - 18 | 7,66 € | 15,32 € | - |
| 20 - 48 | 6,90 € | 13,80 € | 15,20 € |
| 50 - 98 | 6,425 € | 12,85 € | 61,75 € |
| 100 - 198 | 5,975 € | 11,95 € | 168,50 € |
| 200 + | 4,085 € | 8,17 € | 715,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 257-5861
- Référence fabricant:
- IRL7472L1TRPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 375A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 40V | |
| Série | HEXFET | |
| Type de Boitier | DirectFET | |
| Type de montage | Circuit imprimé | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 3.4mΩ | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 375A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 40V | ||
Série HEXFET | ||
Type de Boitier DirectFET | ||
Type de montage Circuit imprimé | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 3.4mΩ | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
La famille de MOSFET de puissance strongIRFET d'Infineon est optimisée pour un faible RDS et une capacité de courant élevé. Les dispositions sont idéaux pour les applications basse fréquence nécessitant des performances et de la robustesse. Le portefeuille complet s'adresse à une large gamme d'applications, y compris les moteurs c. c., les systèmes de gestion de batterie, les inverseurs et les convertisseurs c. c.-c. c.
Optimisé pour une disponibilité maximale auprès des partenaires de distribution
Qualification des produits selon la norme JEDEC
Intensité nominale élevée
Capacité de refroidissement des deux côtés
Faible hauteur de boîtier de 0,7 mm
Boîtier à faible inductance parasite (1-2 nH)
100 % sans plomb (pas d'exemption RoHS)
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N Infineon 375 A 40 V, DirectFET HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 375 A 60 V Enrichissement DirectFET DirectFET, HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 217 A 40 V, DirectFET HEXFET
- MOSFET canal N Infineon -160 A -30 V, DirectFET HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 270 A 40 V, DirectFET DirectFET
- MOSFET canal N Infineon 112 A 40 V Enrichissement DirectFET HEXFET AEC-Q101
- MOSFET canal N Infineon 124 A 100 V Enrichissement, DirectFET HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 67 A 150 V DirectFET HEXFET