MOSFET Infineon canal N, DirectFET isométrique 112 A 40 V

Infineon combine la toute dernière technologie de silicium MOSFET de puissance HEXFET automobile avec la plate-forme Advanced d'emballage pour obtenir des performances exceptionnelles dans un boîtier qui a l'empreinte d'un PQFN SO-8 ou 5X6mm et d'un profil de seulement 0,7 mm. Le boîtier est compatible avec les géométries de disposition existantes utilisées dans les applications d'alimentation, l'équipement d'assemblage de CI et les techniques de soudage par infrarouge ou par convection, etc. Le boîtier permet un refroidissement double face pour maximiser le transfert thermique dans les systèmes d'alimentation automobiles.

Technologie de traitement avancée
Niveau logique
Forte densité de puissance