MOSFET N Infineon 70 A 40 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 OptiMOS 3

Code commande RS:: 165-8112
Référence fabricant:: IPP048N04NGXKSA1
Marque:: Infineon

MOSFET N Infineon 70 A 40 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 OptiMOS 3

Prix dégressifs sur quantité

Sous-total (1 tube de 50 unités)*

62,60 €

75,10 €

Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €

Dernier stock RS

150 dernière(s) unité(s), prête(s) à l'envoi d'un autre centre de distribution

Unité	Prix par unité	le tube*
50 - 50	1,252 €	62,60 €
100 - 200	1,001 €	50,05 €
250 - 450	0,939 €	46,95 €
500 - 950	0,876 €	43,80 €
1000 +	0,814 €	40,70 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 165-8112
Référence fabricant:: IPP048N04NGXKSA1
Marque:: Infineon

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Type de canal	Type N
	Type de produit	MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id	70A
	Tension Drain Source maximum Vds	40V
	Série	OptiMOS 3
	Type de Boitier	TO-220
	Type de montage	Traversant
	Nombre de broches	3
	Résistance Drain Source maximum Rds	4.8mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Dissipation de puissance maximum Pd	79W
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	31nC
	Température minimum de fonctionnement	-55°C
	Tension directe Vf	0.89V
	Température d'utilisation maximum	175°C
	Longueur	10.36mm
	Normes/homologations	No
	Hauteur	15.95mm
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Type de canal Type N
	Type de produit MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id 70A
	Tension Drain Source maximum Vds 40V
	Série OptiMOS 3
	Type de Boitier TO-220
	Type de montage Traversant
	Nombre de broches 3
	Résistance Drain Source maximum Rds 4.8mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Dissipation de puissance maximum Pd 79W
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 31nC
	Température minimum de fonctionnement -55°C
	Tension directe Vf 0.89V
	Température d'utilisation maximum 175°C
	Longueur 10.36mm
	Normes/homologations No
	Hauteur 15.95mm
	Standard automobile Non

IPP048N04N G, OptiMOS3 Power-Transistor

Infineon OptiMOS™ 3 Series MOSFET, 70A Maximum Continuous Drain Current, 79W Maximum Power Dissipation - IPP048N04NGXKSA1

Ce MOSFET est destiné à des applications de puissance à haut rendement, agissant comme un composant essentiel dans divers systèmes électroniques. Il garantit des performances constantes dans des environnements difficiles grâce à sa faible résistance à l'enclenchement et à son importante capacité de dissipation d'énergie.

Caractéristiques et avantages

• Prise en charge d'un courant de vidange continu jusqu'à 70 A

• Tension drain-source maximale de 40V pour une large applicabilité

• La conception d'un mode d'amélioration unique améliore l'efficacité opérationnelle

• La faible résistance maximale du drain-source de 4,8 mΩ minimise la production de chaleur

• La capacité de dissipation d'énergie de 79 W optimise la gestion thermique

• S'adapte aux variations de tension de la grille de -20V à +20V pour une meilleure polyvalence de l'entraînement de la grille

Applications

• Circuits d'alimentation en énergie dans les systèmes d'automatisation

• Contrôle de moteur en milieu industriel

• Convertisseurs de puissance pour une gestion efficace de l'énergie

• Systèmes d'énergie renouvelable pour une gestion efficace de la puissance

• Interrupteur à courant élevé dans l'électronique

Quelle est la plage de température de fonctionnement de ce composant ?

La plage de température de fonctionnement s'étend de -55 °C à +175 °C, ce qui garantit un fonctionnement efficace dans diverses conditions.

Peut-il être utilisé dans des configurations parallèles ?

Oui, l'utilisation en parallèle est possible pour améliorer la gestion du courant, à condition qu'une gestion thermique appropriée soit en place.

Quels sont les niveaux d'entraînement recommandés pour une performance optimale ?

Pour des performances optimales, il est conseillé de piloter la grille entre 10V et 20V, en respectant les limites maximales de seuil de la grille.

Comment gérer la dissipation de la chaleur dans les applications utilisant ce dispositif ?

L'utilisation d'un dissipateur thermique approprié et la mise en place d'un circuit imprimé adéquat permettent de gérer efficacement la dissipation de la chaleur.

Transistors MOSFET de puissance OptiMOS™3 d'Infineon, jusqu'à 40 V

Les produits OptiMOS™ sont disponibles dans des boîtiers haute performance pour gérer les applications les plus difficiles ce qui donne une flexibilité totale dans les espaces réduits. Ces produits d'Infineon sont conçus pour répondre aux exigences de rendement énergétique et de densité de puissance des normes de régulation de tension des applications informatiques plus pointues de la prochaine génération et pour les dépasser.

MOSFET à commutation rapide pour SMPS

Technologie optimisée pour convertisseurs c.c./c.c.

Homologué selon la norme JEDEC1 pour les applications ciblées

Canal N, niveau logique

Une excellente charge de grille x R DS(on) produit (FOM)

Très faible résistance R DS(on)

Placage compatible sans plomb

Transistors MOSFET, Infineon

Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.