MOSFET 1 canal N Simple Infineon 70 A 80 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 OptiMOS™ 3
- Code commande RS:
- 892-2292
- Référence fabricant:
- IPP100N08N3GXKSA1
- Marque:
- Infineon
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 892-2292
- Référence fabricant:
- IPP100N08N3GXKSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 70A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 80V | |
| Type de Boitier | TO-220 | |
| Série | OptiMOS™ 3 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 18.2mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 100W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V, -20V | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Configuration du transistor | Simple | |
| Largeur | 4.57mm | |
| Hauteur | 15.95mm | |
| Longueur | 10.36mm | |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 70A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 80V | ||
Type de Boitier TO-220 | ||
Série OptiMOS™ 3 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 18.2mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 100W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V, -20V | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Configuration du transistor Simple | ||
Largeur 4.57mm | ||
Hauteur 15.95mm | ||
Longueur 10.36mm | ||
Nombre d'éléments par circuit 1 | ||
MOSFET de puissance Infineon OptiMOSTM3, 60 à 80 V
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