Références fabricant

MOSFET 1 canal N Simple Infineon 70 A 80 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 OptiMOS™ 3

Code commande RS:: 892-2292
Référence fabricant:: IPP100N08N3GXKSA1
Marque:: Infineon

MOSFET 1 canal N Simple Infineon 70 A 80 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 OptiMOS™ 3

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Code commande RS:: 892-2292
Référence fabricant:: IPP100N08N3GXKSA1
Marque:: Infineon

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Type de produit	MOSFET
	Nombre d'éléments par circuit	1
	Type de canal	N
	Configuration du transistor	Simple
	Courant continu de Drain maximum (Id)	70 A
	Tension Drain Source maximum (Vds)	80 V
	Mode de canal	Enrichissement
	Nombre de broches	3
	Type de Boitier	TO-220
	Série	OptiMOS™ 3
	Tension directe (Vf)	1.2 V
	Hauteur	15.95 mm
	Longueur	10.36 mm
	Résistance Drain Source maximum (Rds)	18.2 mΩ
	Tension maximale de source de la grille (Vgs)	20 V, -20 V
	Température d'utilisation maximum	175 °C
	Dissipation de puissance maximum (Pd)	100 W
	Température minimum de fonctionnemen	-55 °C
	Type de montage	Traversant
	Largeur	4.57 mm

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Type de produit MOSFET
	Nombre d'éléments par circuit 1
	Type de canal N
	Configuration du transistor Simple
	Courant continu de Drain maximum (Id) 70 A
	Tension Drain Source maximum (Vds) 80 V
	Mode de canal Enrichissement
	Nombre de broches 3
	Type de Boitier TO-220
	Série OptiMOS™ 3
	Tension directe (Vf) 1.2 V
	Hauteur 15.95 mm
	Longueur 10.36 mm
	Résistance Drain Source maximum (Rds) 18.2 mΩ
	Tension maximale de source de la grille (Vgs) 20 V, -20 V
	Température d'utilisation maximum 175 °C
	Dissipation de puissance maximum (Pd) 100 W
	Température minimum de fonctionnemen -55 °C
	Type de montage Traversant
	Largeur 4.57 mm

IPP100N08N3 G, IPI100N08N3 G, IPB097N08N3 G, OptiMOS3 Power-Transistor

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 60 to 80V

OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.

Fast switching MOSFET for SMPS

Optimized technology for DC/DC converters

Qualified according to JEDEC1) for target applications

N-channel, logic level

Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)

Very low on-resistance R DS(on)

Pb-free plating

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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