MOSFET 1 canal N Simple Infineon 58 A 100 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 OptiMOS™ 3
- Code commande RS:
- 892-2273
- Référence fabricant:
- IPP126N10N3GXKSA1
- Marque:
- Infineon
Actuellement indisponible
Nous ne savons pas si cet article sera de nouveau disponible. RS a l'intention de le retirer de son assortiment sous peu.
- Code commande RS:
- 892-2273
- Référence fabricant:
- IPP126N10N3GXKSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 58A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 100V | |
| Série | OptiMOS™ 3 | |
| Type de Boitier | TO-220 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 23.5mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 94W | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V, -20V | |
| Configuration du transistor | Simple | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Longueur | 10.36mm | |
| Largeur | 4.57mm | |
| Hauteur | 15.95mm | |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 58A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 100V | ||
Série OptiMOS™ 3 | ||
Type de Boitier TO-220 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 23.5mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 94W | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V, -20V | ||
Configuration du transistor Simple | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Longueur 10.36mm | ||
Largeur 4.57mm | ||
Hauteur 15.95mm | ||
Nombre d'éléments par circuit 1 | ||
MOSFET de puissance Infineon OptiMOSTM3, 100 V et plus
Transistors MOSFET, Infineon
Infineon offre une large et complète gamme de dispositifs MOSFET qui inclut les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances de leur catégorie pour plus d'efficacité, de densité de puissance et de rentabilité. Les conceptions qui exigent une haute qualité et des fonctions de protection améliorées bénéficient des transistors MOSFET certifiés pour l'automobile conformes aux normes industrielles AEC-Q101.
Nos clients ont également consulté
- MOSFET 1 canal N Simple Infineon 70 A 80 V Enrichissement TO-220 OptiMOS™ 3
- MOSFET canal N Infineon 381 A 40 V Enrichissement TDSON OptiMOS™
- MOSFET canal N Infineon 60 A 60 V Enrichissement TO-220 OptiMOS 3
- MOSFET canal N Infineon 80 A 60 V Enrichissement TO-220 OptiMOS 3
- MOSFET canal N Infineon 80 A 80 V Enrichissement TO-220 OptiMOS 3
- MOSFET canal N Infineon 70 A 30 V Enrichissement TO-220 OptiMOS 3
- MOSFET canal N Infineon 120 A 60 V Enrichissement TO-220 OptiMOS 3
- MOSFET canal N Infineon 50 A 150 V Enrichissement TO-220 OptiMOS 3
