MOSFET 1 canal N Simple Infineon 58 A 100 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 OptiMOS™ 3

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Code commande RS:
892-2273
Référence fabricant:
IPP126N10N3GXKSA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

58A

Tension Drain Source maximum Vds

100V

Série

OptiMOS™ 3

Type de Boitier

TO-220

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

23.5mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

94W

Tension directe Vf

1.2V

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V, -20V

Configuration du transistor

Simple

Température d'utilisation maximum

175°C

Longueur

10.36mm

Largeur

4.57mm

Hauteur

15.95mm

Nombre d'éléments par circuit

1

MOSFET de puissance Infineon OptiMOSTM3, 100 V et plus


Transistors MOSFET, Infineon


Infineon offre une large et complète gamme de dispositifs MOSFET qui inclut les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances de leur catégorie pour plus d'efficacité, de densité de puissance et de rentabilité. Les conceptions qui exigent une haute qualité et des fonctions de protection améliorées bénéficient des transistors MOSFET certifiés pour l'automobile conformes aux normes industrielles AEC-Q101.

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