MOSFET 1 canal N Simple Infineon 58 A 100 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 OptiMOS™ 3

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Code commande RS:
892-2273
Référence fabricant:
IPP126N10N3GXKSA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Nombre d'éléments par circuit

1

Type de canal

N

Configuration du transistor

Simple

Courant continu de Drain maximum (Id)

58 A

Tension Drain Source maximum (Vds)

100 V

Mode de canal

Enrichissement

Nombre de broches

3

Type de Boitier

TO-220

Série

OptiMOS™ 3

Tension directe (Vf)

1.2 V

Hauteur

15.95 mm

Longueur

10.36 mm

Résistance Drain Source maximum (Rds)

23.5 mΩ

Tension maximale de source de la grille (Vgs)

20 V, -20 V

Température d'utilisation maximum

175 °C

Dissipation de puissance maximum (Pd)

94 W

Température minimum de fonctionnemen

-55 °C

Type de montage

Traversant

Largeur

4.57 mm

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over


MOSFET Transistors, Infineon


Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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