MOSFET Infineon canal N, D2PAK (TO-263) 9,3 A 200 V, 3 broches

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Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	9,3 A
Tension Drain Source maximum	200 V
Type de boîtier	D2PAK (TO-263)
Série	HEXFET
Type de montage	CMS
Nombre de broches	3
Résistance Drain Source maximum	300 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	4V
Tension de seuil minimale de la grille	2V
Dissipation de puissance maximum	82 W
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-20 V, +20 V
Température d'utilisation maximum	+175 °C
Charge de Grille type @ Vgs	35 nC @ 10 V
Longueur	10.67mm
Matériau du transistor	Si
Nombre d'éléments par circuit	1
Largeur	11.3mm
Température de fonctionnement minimum	-55 °C
Tension directe de la diode	1.3V
Hauteur	4.83mm

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