MOSFET canal N Infineon 18 A 200 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 HEXFET
- Code commande RS:
- 831-2853
- Numéro d'article Distrelec:
- 304-44-448
- Référence fabricant:
- IRF640NSTRLPBF
- Marque:
- Infineon
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- Code commande RS:
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- 304-44-448
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- IRF640NSTRLPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 18A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 200V | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Série | HEXFET | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 150mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 67nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -20V, +20V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 150W | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Hauteur | 4.83mm | |
| Longueur | 10.67mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 9.65mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 18A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 200V | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Série HEXFET | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 150mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 67nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 150W | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Hauteur 4.83mm | ||
Longueur 10.67mm | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 9.65mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- KR
Infineon HEXFET Series MOSFET, 18A Maximum Continuous Drain Current, 150W Maximum Power Dissipation - IRF640NSTRLPBF
Ce MOSFET est essentiel pour une gestion efficace de l'énergie dans diverses applications, en contrôlant le flux de courant électrique dans les circuits pour garantir la performance et la fiabilité. Ses spécifications robustes le rendent particulièrement adapté à l'automatisation et aux systèmes électroniques contemporains.
Caractéristiques et avantages
• La configuration à canal N permet un fonctionnement en mode d'amélioration
• Courant de vidange continu maximum de 18A
• Tension drain-source de pointe de 200V pour diverses applications
• Boîtier D2PAK conçu pour le montage en surface
• Le faible Rds(on) de 150mΩ réduit la perte d'énergie pendant le fonctionnement
• Température de fonctionnement maximale élevée de +175°C pour divers environnements
Applications
• Gestion de l'énergie dans l'électronique automobile
• Alimentations industrielles pour systèmes d'automatisation
• Contrôle de moteur dans différents secteurs
• Systèmes d'énergie renouvelable pour la conversion de l'énergie
• Conceptions d'onduleurs de puissance à haute fréquence
Quelle est la tension maximale drain-source ?
La tension maximale entre le drain et la source est de 200V, ce qui offre une grande flexibilité pour les applications à haute tension.
Comment la dissipation de la chaleur est-elle gérée pendant le fonctionnement ?
Ce MOSFET offre une capacité de dissipation de puissance de 150W, et son boîtier permet une gestion efficace de la chaleur sous des charges élevées.
Quelles sont les implications de la plage de tension de seuil de la porte ?
Avec une tension de seuil de grille maximale de 4V et minimale de 2V, il offre aux ingénieurs une gamme polyvalente pour les applications de commutation.
Ce composant peut-il être utilisé dans des configurations parallèles ?
Oui, il peut être facilement mis en parallèle grâce à sa faible résistance à l'enclenchement, ce qui le rend adapté aux applications à courant élevé.
Comment doit-il être soudé pour une performance optimale ?
La température de soudure ne doit pas dépasser 300°C pendant 10 secondes pour garantir une installation correcte sans endommager le MOSFET.
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