MOSFET canal N Infineon 250 A 40 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 HEXFET

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872-4206
Référence fabricant:
IRFS7437TRLPBF
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

250A

Tension Drain Source maximum Vds

40V

Type de Boitier

TO-263

Série

HEXFET

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

1.8mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

230W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

150nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20V, +20V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension directe Vf

1V

Température d'utilisation maximum

175°C

Longueur

10.67mm

Hauteur

4.83mm

Normes/homologations

No

Largeur

9.65mm

Standard automobile

Non

Statut RoHS non applicable

MOSFET Infineon de la série HEXFET, courant de vidange continu maximal de 250A, dissipation de puissance maximale de 230W - IRFS7437TRLPBF


Ce MOSFET est destiné aux applications de haute performance qui nécessitent une gestion efficace de la puissance. Il est utilisé dans divers secteurs et présente des caractéristiques robustes adaptées aux environnements difficiles. Sa capacité à gérer des niveaux de courant et de tension élevés le rend bien adapté aux applications technologiques avancées.

Caractéristiques et avantages


• Prend en charge un courant de vidange continu maximal de 250 A pour les applications à haute puissance

• Elle offre une tension drain-source maximale de 40 V, ce qui garantit sa fiabilité dans différentes configurations

• Faible Rds(on) de 1,4mΩ, contribuant à réduire les pertes de puissance

• Conçu pour un montage en surface, ce qui simplifie l'installation

• Capable de gérer des applications de commutation rapide, ce qui améliore l'efficacité

Applications


• Convient à l'entraînement par moteur à balais

• Idéal pour les circuits alimentés par batterie, permettant une utilisation efficace de l'énergie

• Employé dans les topologies en demi-pont et en pont complet pour un contrôle précis

• Utilisé dans un redresseur synchrone améliorer les économies d'énergie

• Applicable aux alimentations en mode résonnant pour des performances stables

Comment la dissipation de puissance est-elle gérée pendant le fonctionnement ?


La dissipation d'énergie est gérée par une puissance maximale de 230 W, ce qui garantit la stabilité thermique dans des conditions de charge élevée.

Quelle est la signification de la faible valeur de Rds(on) ?


La faible valeur de Rds(on) minimise la perte d'énergie pendant le fonctionnement, améliorant ainsi l'efficacité dans les applications à courant élevé.

Peut-il être utilisé dans des environnements à haute température ?


Avec une plage de température de fonctionnement allant de -55°C à +175°C, il convient à diverses applications, y compris les environnements à haute température.

Quels sont les points à prendre en compte lors de l'installation ?


Assurer une gestion thermique appropriée conformément aux spécifications afin de maintenir l'efficacité opérationnelle et la fiabilité lors d'applications intenses.

Est-il compatible avec différents types d'alimentation ?


Oui, le MOSFET est polyvalent et peut être intégré dans de nombreuses conceptions d'alimentation, ce qui permet de l'adapter à différents projets.

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