MOSFET canal N Infineon 24 A 200 V Enrichissement, TO-263 HEXFET
- Code commande RS:
- 257-9436
- Référence fabricant:
- IRFS4620TRLPBF
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 paquet de 5 unités)*
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 + | 3,022 € | 15,11 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 257-9436
- Référence fabricant:
- IRFS4620TRLPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 24A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 200V | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Série | HEXFET | |
| Type de montage | Traversant | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 77.5mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 144W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 25nC | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 24A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 200V | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Série HEXFET | ||
Type de montage Traversant | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 77.5mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 144W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 25nC | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET Infineon série HEXFET, tension drain-source maximale de 200 V, courant de drain continu maximal de 24 A - IRFS4620TRLPBF
Ce MOSFET est un transistor de puissance à canal N amélioré conçu pour les tâches de commutation haute tension et de conversion de puissance. Il est fourni dans un boîtier TO-263 adapté aux assemblages d'alimentation montés sur carte et fonctionne sur une plage de températures étendue pour les environnements exigeants. Le dispositif intègre une diode de corps intrinsèque avec une tension directe spécifiée et est conforme à la directive RoHS.
Caractéristiques et avantages :
• La valeur nominale de 200 V permet des applications de commutation haute tension
• Le courant continu de 24 A permet une gestion substantielle de la charge
• Le RDS(on) de 77.5 mΩ réduit les pertes de conduction pendant le fonctionnement
• La dissipation de puissance de 144 W permet une charge thermique élevée
• La charge de grille typique de 25 nC fournit des exigences d'entraînement prévisibles
• Le courant continu de 24 A permet une gestion substantielle de la charge
• Le RDS(on) de 77.5 mΩ réduit les pertes de conduction pendant le fonctionnement
• La dissipation de puissance de 144 W permet une charge thermique élevée
• La charge de grille typique de 25 nC fournit des exigences d'entraînement prévisibles
Applications
• Convient aux étages de convertisseur c.c.-c.c. haute tension
• Idéal pour les commutateurs de sortie d'alimentation à découpage
• Utilisé avec les contrôleurs d'entraînement de moteur dans les assemblages d'alimentation
• Peut être utilisé pour la commutation de charge dans l'électronique industrielle
• Adapté à la gestion de l'alimentation dans les systèmes non automobiles
• Idéal pour les commutateurs de sortie d'alimentation à découpage
• Utilisé avec les contrôleurs d'entraînement de moteur dans les assemblages d'alimentation
• Peut être utilisé pour la commutation de charge dans l'électronique industrielle
• Adapté à la gestion de l'alimentation dans les systèmes non automobiles
Quelles sont les considérations relatives à l'entraînement de grille que je dois prendre en compte?
Attendez-vous à une charge de grille totale typique de 25 nC à VGS
choisissez un driver qui peut fournir et absorber suffisamment de courant pour atteindre la vitesse de commutation souhaitée.
Comment la capacité thermique affecte-t-elle la conception des circuits imprimés?
Avec une dissipation de puissance maximale de 144 W, assurez-vous d'avoir une surface de cuivre ou un dissipateur thermique et des voies thermiques adéquats pour gérer le transfert de chaleur de la jonction à l'environnement.
Quelles sont les limites pour les tensions de commande et de signal?
La grille peut être commandée jusqu'à 20 V par rapport à la source
les excursions source-gate ne doivent pas dépasser cette valeur.
Quelle plage de température peut-il supporter en fonctionnement?
Le dispositif est conçu pour fonctionner de -55 °C à 175 °C pour les applications à large plage de températures.
Quelles sont les caractéristiques de la diode importantes pour la conduction inverse?
La diode intrinsèque présente une tension directe de 1,3 V qui influence les pertes de conduction pendant les événements de courant inverse.
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