MOSFET canal N Infineon 24 A 200 V Enrichissement, TO-263 HEXFET
- Code commande RS:
- 257-9436
- Référence fabricant:
- IRFS4620TRLPBF
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 paquet de 5 unités)*
15,11 €
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 + | 3,022 € | 15,11 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 257-9436
- Référence fabricant:
- IRFS4620TRLPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 24A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 200V | |
| Série | HEXFET | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 77.5mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 25nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 144W | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 24A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 200V | ||
Série HEXFET | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Type de montage Traversant | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 77.5mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 25nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 144W | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
La série IRFS d'Infineon est le mosfet de puissance HEXFET à canal n simple 200 V dans un boîtier D2 Pak.
Meilleure robustesse de la porte, de l'avalanche et de la dynamique dV/dt
SOA de capacité et d'avalanche entièrement caractérisé
Capacité de diode de corps améliorée dV/dt et dI/dt sans plomb
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