MOSFET canal N Infineon 84 A 60 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 HEXFET
- Code commande RS:
- 222-4733
- Numéro d'article Distrelec:
- 304-39-411
- Référence fabricant:
- IRF1010ESTRLPBF
- Marque:
- Infineon
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 222-4733
- Numéro d'article Distrelec:
- 304-39-411
- Référence fabricant:
- IRF1010ESTRLPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 84A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Série | HEXFET | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 12mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 86.6nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 170W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Longueur | 10.67mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 9.65mm | |
| Hauteur | 4.83mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 84A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Série HEXFET | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 12mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 86.6nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 170W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Longueur 10.67mm | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 9.65mm | ||
Hauteur 4.83mm | ||
Standard automobile Non | ||
La conception Infineon de transistors MOSFET de puissance HEXFET ®, également appelés transistors MOSFET, est l'acronyme de "transistors à effet de champ à transistors à semiconducteur en oxyde métallique". Les MOSFET sont des dispositifs de transistors qui sont commandés par un condensateur. L'effet de champ signifie qu'ils sont commandés par la tension. L'objectif d'un transistor MOSFET est de commander le flux de le courant passant d'une électrode de source à une électrode de drain.
Technologie de processus Advanced
Commutation rapide à très faible résistance à l'état passant
Sans plomb, Conforme à la directive RoHS
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