MOSFET canal N Infineon 84 A 60 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 HEXFET
- Code commande RS:
- 222-4732
- Référence fabricant:
- IRF1010ESTRLPBF
- Marque:
- Infineon
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 222-4732
- Référence fabricant:
- IRF1010ESTRLPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 84A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Série | HEXFET | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 12mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 170W | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 86.6nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Largeur | 9.65mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 10.67mm | |
| Hauteur | 4.83mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 84A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Série HEXFET | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 12mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 170W | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 86.6nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Largeur 9.65mm | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 10.67mm | ||
Hauteur 4.83mm | ||
Standard automobile Non | ||
La conception Infineon de transistors MOSFET de puissance HEXFET ®, également appelés transistors MOSFET, est l'acronyme de "transistors à effet de champ à transistors à semiconducteur en oxyde métallique". Les MOSFET sont des dispositifs de transistors qui sont commandés par un condensateur. L'effet de champ signifie qu'ils sont commandés par la tension. L'objectif d'un transistor MOSFET est de commander le flux de le courant passant d'une électrode de source à une électrode de drain.
Technologie de processus Advanced
Commutation rapide à très faible résistance à l'état passant
Sans plomb, Conforme à la directive RoHS
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