MOSFET canal N Infineon 45 A 250 V, 3 broches, TO-263 HEXFET
- Code commande RS:
- 217-2633
- Référence fabricant:
- IRFS4229TRLPBF
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 800 unités)*
1 226,40 €
HT
1 472,00 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
- Plus 2 400 unité(s) expédiée(s) à partir du 13 novembre 2026
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 800 + | 1,533 € | 1 226,40 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 217-2633
- Référence fabricant:
- IRFS4229TRLPBF
- Marque:
- Infineon
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 45A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 250V | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Série | HEXFET | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 48mΩ | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 110nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 330W | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Largeur | 4.83mm | |
| Normes/homologations | EIA 418 | |
| Hauteur | 9.65mm | |
| Longueur | 10.67mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 45A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 250V | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Série HEXFET | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 48mΩ | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 110nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 330W | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Largeur 4.83mm | ||
Normes/homologations EIA 418 | ||
Hauteur 9.65mm | ||
Longueur 10.67mm | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET Infineon série HEXFET, tension de source de drain maximale de 250 V, courant de drain continu maximum de 45 A - IRFS4229TRLPBF
Caractéristiques et avantages :
• Le courant de drain continu de 45 A prend en charge les courants de charge lourds
• Rds(on) de 48 mΩ réduit les pertes de conduction sous charge
• La dissipation de puissance de 330 W permet une gestion thermique soutenue
• La charge de grille de 110 nC permet une dimensionnement prévisible de l'entraînement de grille
• La tension directe de 1,3 V minimise la chute de conduction de la diode
Applications
• Idéal pour les étapes d'entraînement de moteur dans l'électronique de puissance
• Utilisé avec les régulateurs à découpage et les alimentations
• Peut être utilisé pour la commutation de charges à courant élevé
• Convient aux assemblages à montage en surface sur les circuits imprimés à dos de dissipateur thermique
Quel type de boîtier et de montage utilise-t-il?
Quelles sont les conditions environnementales auxquelles il peut résister ?
Quelle est la quantité d'énergie d'entraînement de grille pour laquelle les concepteurs doivent-ils prévoir un budget?
Convient-il aux applications de spécification automobile?
Quelle tension maximale grille-source doit-elle être respectée?
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N Infineon 45 A 250 V TO-263 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 250 A 40 V Enrichissement TO-263 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 250 A 40 V Enrichissement TO-263 HEXFET AEC-Q101
- MOSFET canal N Infineon 230 A 75 V, TO-263 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 270 A 60 V, TO-263 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 85 A 150 V, TO-263 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 195 A 60 V, TO-263 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 43 A 200 V, TO-263 HEXFET
