MOSFET canal N Infineon 270 A 60 V, TO-263 HEXFET
- Code commande RS:
- 257-9415
- Référence fabricant:
- IRFS3006TRLPBF
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 800 unités)*
1 488,00 €
HT
1 784,00 €
TTC
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 800 + | 1,86 € | 1 488,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 257-9415
- Référence fabricant:
- IRFS3006TRLPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 270A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Série | HEXFET | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Type de montage | En surface | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 2.5mΩ | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 375W | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 200nC | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 270A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Série HEXFET | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Type de montage En surface | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 2.5mΩ | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 375W | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 200nC | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
La série IRFS d'Infineon est un mosfet de puissance HEXFET à canal n simple de 60 V dans un boîtier D2 Pak.
Meilleure robustesse de la porte, de l'avalanche et de la dynamique dV/dt
SOA de capacité et d'avalanche entièrement caractérisé
Capacité de diode de corps améliorée dV/dt et dI/dt sans plomb
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