MOSFET canal N Infineon 110 A 60 V, TO-263 HEXFET
- Code commande RS:
- 257-9439
- Référence fabricant:
- IRFS7540TRLPBF
- Marque:
- Infineon
Bénéficiez d'une remise sur les achats en gros
Ajoutez 1600 de plus pour économiser 76,80 €
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 bobine de 800 unités)*
778,40 €
HT
934,40 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 08 février 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* | Économie |
|---|---|---|---|
| 800 - 800 | 0,973 € | 778,40 € | - |
| 1600 + | 0,925 € | 740,00 € | 76,80 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 257-9439
- Référence fabricant:
- IRFS7540TRLPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 110A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Série | HEXFET | |
| Type de montage | En surface | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 5.1mΩ | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 88nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 160W | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 110A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Série HEXFET | ||
Type de montage En surface | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 5.1mΩ | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 88nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 160W | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
La série IRFS d'Infineon est un transistor de puissance HEXFET à canal n simple de 60 V dans un boîtier D2 sans plomb.
Qualification du produit conformément à la norme JEDEC
Optimisé pour une tension d'entraînement de grille de 10 V (appelée niveau normal)
Optimisé au silicium pour les applications de commutation inférieures à 100 kHz
Diode à corps plus souple par rapport à la génération de silicium précédente
Boîtier d'alimentation à montage en surface standard
Peut être soudé à la vague
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N Infineon 110 A 60 V, TO-263 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 110 A 55 V Enrichissement TO-263 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 270 A 60 V, TO-263 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 195 A 60 V, TO-263 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 210 A 60 V, TO-263 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 160 A 60 V, TO-263 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 110 A 60 V, TO-252 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 230 A 75 V, TO-263 HEXFET